طراحی مدارهای سوئیچ شونده خازنی در ابعاد نانومتری در تکنولوژی cmos مبتنی بر ساختار cbsc
چکیده
در ساختار مدار¬های cbsc مقایسه کننده و منبع جریان جایگزین تقویت کننده¬ی عملیاتی شده و احتیاج به تقویت کننده¬ی عملیاتی با بهره بالا از مسیر سیگنال حذف می¬شود. به منظور بهبود موازنه¬ی بین سرعت و دقت در مدار¬های cbsc، از منبع جریان کنترل شونده با ولتاژ به¬جای منبع جریان ثابت استفاده می¬شود. برای افزایش هر چه بیشتر سرعت در مدار¬های cbsc ایده¬ی ترکیب منابع جریان ثابت و متغیر با ولتاژ مطرح شده است.سرعت مدار cbsc با ایده¬ی فوق نسبت به مدار cbsc با منبع جریان متغیر، 22 نانو ثانیه افزایش یافته، در صورتیکه خطای حالت دائم هر دو ساختار 18 میلی ولت است.مدار cbsc با ایده-ی فوق، 890 میکرو وات و مدار cbsc با منبع جریان متغیر 540 میکرو وات توان مصرف می¬کنند.نتایج حاصل از شبیه سازی ساختار¬های مختلف مدار cbsc نشان می¬دهند که با استفاده از ایده¬ی ترکیب منابع جریان ثابت و متغیر می¬توان تا حدود زیادی موازنه¬ی بین سرعت و دقت را در مدار¬های cbsc بهبود داد.