رسانش الکتریکی dc شیشه های sb-v2o5-teo2
چکیده
در این پژوهش، شیشه های (60-x)v2o5 -40teo2-xsb به روش فرونشانی مذاب تهیه شدند سپس به روش چهار سیمه رسانش الکتریکی نمونه ها در گستره دمایی 407-295 درجه کلوین تعیین شد. نمونه های مورد بررسی از رابطه آستین- مات پیروی می کنند که خود موید رسانش جهشی پلارون کوچک است. از رابطه رسانندگی- دما، تغییرات انرژی فعالسازی الکتریکی، اثر تغییر فاصله یونهای وانادیم بر رسانش الکتریکی و همچنین فاکتور تونل زنی در نمونه ها، کارایی مکانیسم بی دررو جهش پلارون کوچک در گستره دمایی مذکور تصدیق شد.برای این نمونه ها، رسانش الکتریکی در دمای نوعی 370 درجه کلوین در گستره4.80×10 -6- 1.08×10 -4 scm -1 بود که نشاندهنده افزایش رسانش با افزایش تراکم مولفه پنتااکسید وانادیم است. همچنین انرژی فعالسازی الکتریکی نمونه ها بدست آمد که نشاندهنده افزایش آن با کاهش تراکم پنتااکسید وانادیم می باشد.