پایان‌نامه

بررسی گاف های نواری گرافین تک لایه در حضور پتانسیل متناوب

چکیده

در این پایان نامه ترابرد الکترونی ونحوه ایجاد گاف نواری انرژی در باریکه ای از گرافین تک لایه را در حضور پتانسیل متناوب اعمالی بررسی و مطالعه میکنیم. در ساختار شبکه لانه زنبوری گرافین درجه آزادی اضافه ای بنام شبه اسپین وجود دارد که برای تشریح محل قرار گرفتن اوربیتالهای توابع موج در شش گوشه ساختار لانه زنبوری مطرح شده است. گرافین در حالت نرمال یک نیمرسانای بدون گاف محسوب میشود. حضور پتانسیل متناوب که باعث شکستن تقارن شبه اسپین ها می گردد، باعث ایجاد گافهای نواری میشود . با استفاده از معادله هامیلتونی دیراک گونه و اعمال پتانسیل متناوب در این شبکه، گاف نواری و نمایشی از نمودار تغییرات رسانش گرافین را بررسی میکنیم. سپس در این سیستم مفهوم فاز بری را بررسی کرده و نتیجه میگیریم که این فاز در یک نتیجه منطقی ویژه توابع را به مقدار ثابتی به بالا شیفت میدهد که خود باعث ایجاد گاف نواری وتوجیهی بر رفتارهای منحصربفرد گرافین خواهد بود

اساتید راهنما و مشاور

زینب رشیدیان

پایان‌نامه‌های مشابه

  • مطالعه خواص گاف نواری بلورهای فوتونی شامل لایه نقص ابررسانا

    پایان‌نامه۲۰۱۰دانشگاه تربیت معلم - تبریز - پژوهشکده علوم پایه کاربردیحسین مهدیزاده

    موقع مطالعه در مورد مواد نوری متداول دو نوع ناحیه پراکندگی وجود دارد. در یک ناحیه محیط یکنواخت که تغییرات در ویژگی ماده آن در مقایسه با طول موج نور تابشی خیلی کوچک است(شکل 1-الف)[2]. در این محیط که از ذرات پراکننده مجزا مانند اتم ها ساخته شده، یک پاسخ نوری متوسط توسط اتمها ایجاد

  • بررسی خواص اپتیکی گرافین در حضور ناخالصیهای جانشینی به روش تقریب پتانسیل همدوس

    پایان‌نامه۲۰۱۲وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بناب - دانشکده فنیسید سجاد صادقی

    می دانیم که با افزودن ناخالصی به یک سیستم خالص، تقارن آن سیستم از بین می رود و باعث به وجود آمدن پراکندگی در موج ورودی به داخل سیستم می شود که از جمله این تقارن ها، تقارن انتقالی می باشد. در محیط های با این ویژگی الکترون از تئوری بلوخ پیروی نمی کند و در مسیر خود با عوامل پراکندگی

  • اثر گاف در رسانندگی الکتریکی گرافین دو لایه

    پایان‌نامه۲۰۱۲وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - دانشکده علوم پایهفاطمه پاکدل

    در این پژوهش به بررسی اثر گاف انرژی و پارامترهای ساختاری بر رسانندگی گرافین دولایه می پردازیم. با قرار دادن یک لایه گرافین بر روی گرافین تک لایه، گرافین دولایه، سیستمی متفاوت با خواص قابل تغییر، تشکیل می شود. یکی از جالب ترین خواص گرافین دولایه گاف انرژی قابل تغییر آن است. این گا

  • مطالعه اثر هارتمن در گرافین تک لایه گاف دار

    پایان‌نامه۲۰۱۲وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده علوم پایهحمیده هادوی فر

    تونل زنی کوانتومی در دهه های گذشته مورد توجه زیادی قرار گرفته است. تعداد قابل توجهی از مطالعات بر روی مدت زمانی است که ذره برای عبور از سد پتانسیل سپری می کند.اثر هارتمن بیان می کند که برای سدهای ضخیم زمان تاخیر گروه مستقل از طول سد است که در نهایت به سرعت تونل زنی سوپرلومینال من

  • اثر گاف انرژی در رسانندگی گرافین تک لایه گاف دار

    پایان‌نامه۲۰۱۲وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده علوم پایهصدیقه عباسی اسفنجانی

    برای بررسی عبور امواج الکترونی در ابرشبکه گرافین گاف دار، از روش ماتریس گذار استفاده کردیم. در گرافین برخلاف سیلیکون نیم رسانا، بین باندهای هدایت و ظرفیت فاصله ای ندارد. چنین گافی(باند گپی) برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد که جریان الکترونها را قطع و

  • بررسی حالت مقید الکترون در گرافین تک لایه گاف دار

    پایان‌نامه۲۰۱۴وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده فیزیکمحسن یارمحمدی

    در گرافین، الکترون های رسانش شبیه ذرات نسبیتی بدون جرم دیراک با یک خاصیت کایرال رفتار می کنند. به همین دلیل، مقید کردن الکترون ها در گرافین به شکل هندسه های نقطه کوانتومی ناممکن است. در گرافین بدون گاف، به دلیل طیف الکترونی منحصر به فرد آن، رسانش الکتریکی در نقطه? دیراک دارای یک

اسناد مشابه