اثر دانه بندی بین سطحی بر سیم کوانتومی نیم رسانا با ساختار چندگانه طولی
چکیده
با پیشرفت تکنولوژی در زمینه فن¬آوری نانو، امکان ساخت و طراحی سیستم¬های کوانتومی نیم رسانا در سال¬های اخیر فراهم شده است. به علت ویژگیهای الکترونی و نوری منحصر به فرد، سیمهای کوانتمی نیم رسانا، توجه بسیاری را به خود جلب کرده است. در چند سال اخیر بسیاری از گروه های پژوهشی رشد نانوسیم های نیمرسانا با ساختارهای چندگانهی طولی را گزارش کرده اند. در این پایان نامه یک سیم کوانتومی با ساختار چندگانهی طولی را در نظر گرفته و تأثیر همزمان میدانهای الکتریکی و مغناطیسی را بر خواص الکترونی و نوری آن بررسی میکنیم. در این راستا، برای بدست آوردن ویژه مقادیر و ویژه توابع سیستم از روش قطری کردن ماتریس ها استفاده کرده و با بکارگیری فرمولبندی ماتریس چگالی و روش تکرار خواص نوری سیستم را محاسبه میکنیم. سرانجام، تأثیر میدان های الکتریکی و مغناطیسی و پارامترهای مربوط به سیم کوانتومی را بر ترازهای انرژی سیستم و ضرایب جذب و شکست نوری، ضرایب همسوسازی نوری، تولید هماهنگهای مرتبهی دوم و سوم و پدیده شفافیت القایی الکترومغناطیسی را به صورت نظری مطالعه میکنیم. نتایج نشان دهنده تأثیر قابل ملاحظه میدان الکتریکی، پهنای چاه پتانسیل و ضخامت فصل مشترک بین نواحی مختلف سیم کوانتومی بر خواص الکترونی و نوری سیستم و پدیده شفافیت القایی الکترومغناطیسی می باشد.
