پایان‌نامه

طراحی یک مبدل dc-dc برای کاهش توان در تکنولوژی cmos مقیاس نانو

ابوذر علائی قلعه نوئی

چکیده

در این پایانامه طراحی یک مبدل dc-dc در تکنولوژی cmos 16nm انجام می گردد. مبدل های dc-dc جهت کاهش توان مصرفی و افزایش عملکرد مدارهای مجتمع cmos استفاده می شوند. ابتدا به معرفی روش های تبدیل ولتاژ در سطح نانومتر و غیر نانومتر در گذشته پرداخته می شود و سپس یک مبدل ولتاژ باک در سطح 16 نانومتر cmos شبیه سازی شده است. با توجه به نتایج شبیه سازی انجام شده استفاده از سوئیچ کمکی در مدار مبدل ولتاژ، برای راه اندازی نرم سوئیچ اصلی است و باعث می شود که تلفات سوئیچ زنی، در جریان صفر کاهش یابد و در نتیجه راندمان بالاتر و ولتاژ وجریان خروجی بهتری نسبت به مبدل باک معمولی درتکنولوژی مقیاس 16 نانومترcmos بدست آید. در این طرح ولتاژ ورودی 1 ولت است که با استفاده از روش، سوئیچ زنی در جریان صفر دو ولتاژ متفاوت 0.4 و 0.55 با حداکثر جریان های به ترتیب 80 میکرو آمپر و 106 میکرو آمپر و حداکثر راندمان 80% در مقیاس 16 نانومتر cmos بدست آمده اند.

اساتید راهنما و مشاور

محمد آسیایی

پایان‌نامه‌های مشابه

  • طراحی مدارهای دینامیک توان پایین، مقاوم در برابر نشتی برای گیتهای عریض در تکنولوژیهای cmos مقیاس نانو

    پایان‌نامه۲۰۱۲وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده فنیمحمد آسیایی

    با ادامه روند کوچک شدن طول کانال ترانزیستورها در تکنولوژیهای cmos مقیاس نانو، جریان نشتی افزایش می یابد بطوریکه توان نشتی، مخصوصا در گیتهای عریض، مولفه بسیار زیادی از کل توان تلفاتی سیستم را تشکیل می دهد. از سوی دیگر افزایش جریان نشتی منجر به کاهش مصونیت در برابر نویز مخصوصا در گ

  • طراحی مدار شارژپمپ در تکنولوژی cmos

    پایان‌نامه۲۰۱۳وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - موسسه آموزش عالی غیرانتفاعی و غیردولتی سجاد مشهد - دانشکده برق و الکترونیکزهرا رستگاری

    این گزارش در مورد انواع شارژپمپ ها که برای ایجاد ولتاژ بالاتر استفاده می شوند و پارامترهای اساسی آنها توضیح می دهد. در نهایت در مورد بازده و ریپل ولتاژ شارژپمپ طراحی شده بحث می شود. ریپل ولتاژ پایین برای بسیاری از مدارات جزو پارامترهای مهم می باشد. اگر ریپل ولتاژ خروجی بسیار بزرگ

  • طراحی مخلوط کننده مبدل کاهش فرکانسی 10.6-3.1 گیگاهرتز در تکنولوژی 0.18μm cmos

    پایان‌نامه۲۰۱۳وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنیمحمدرضا کاظمی

    امروزه پیشرفت های صورت گرفته در شبکه های مخابراتی موجب افزایش سرعت انتقال داده ها شده است، به همین منظور تکنولوژی بدون مجوز uwb با قابلیت انتقال داده mbps500 و پهنای باند ghz5/7 ( ghz10/6 – ghz3/1)، بیش از پیش مورد توجه قرار گرفته است. مخلوط کننده مبدل کاهش فرکانسی یکی از مهمترین

  • طراحی و شبیه سازی مبدل آنالوگ به دیجیتال توان-پایین با ساختار ‏‎pipeline‎‏ در تکنولوژی‏‎cmos‎‏

    پایان‌نامه۲۰۰۱وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهرانمحمد ابراهیمی

    در سالهای اخیر محاسن پردازش سیگنال در حوزه دیجیتالی ، باعث دگرگونیهای چشمگیری در کاربردهای مختلف نظیر سیستمهای مخابراتی ، شبکه های انتقال اطلاعات و پردازش تصاویر شده است . در بخش گیرنده اکثر سیستمهای دیجیتالی از مبدل آنالوگ به دیجیتال برای تبدیل سیگنال ورودی استفاده شده و پردازش

  • طراحی و شبیه سازی یک مبدل آنالوگ به دیجیتال sigma - delta در تکنولوژی cmos

    پایان‌نامه۱۹۹۹وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایرانمحمد رنجبر

    مبدلهای آنالوگ به دیجیتال فوق نمونه برداری بر اساس مدولاسیون سیگما دلتا، دستیابی به دقتهای بالای تبدیل را بدون نیاز به قطعات آنالوگ دقیق و المانهای تنظیم شده میسر ساخته اند. تنوع معماریها و امکان مبادله پارامترهای مختلف در سیستم های سیگما دلتا، چالشهای جدیدی را برای انجام طرحهای

  • طراحی مبدل آنالوگ به دیجیتال خیلی سریع با ساختار فولدینگ در تکنولوژی ‏‎cmos‎‏

    پایان‌نامه۲۰۰۱وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهرانحمیدرضا احمدی

    در حال حاضر قسمت عمده ای از فعالیتها در زمینه طراحی مدارهای مجتمع آنالوگ، به مبدلهای آنالوگ به دیجیتال خیلی سریع اختصاص دارد. این مبدلها در دستگاههای ذخیره اطلاعات و شبکه های انتقال اطلاعات مورد استفاده قرار می گیرند. با بررسی منابع علمی در می یابیم که در میان انواع مختلف این مدا

اسناد مشابه