کنترل همدوس جابجایی گوس-هانشن در لایه های دی الکتریک
چکیده
جابجایی گوس-هانشن در حقیقت به جابجایی عرضی موج نوری که از سطح مقطع دو محیط با ضریب شکست مختلف بازتابش کلی یافته است اطلاق می شود. جابجایی گوس-هانشن در مورد محاسبات مربوط به عمق نفوذ میدان نوری به بیرون موجبر اپتیکی یک کمیت بسیار مهم است که باید لحاظ گردد. این جابجایی یک پدیده ی کلاسیکی است و بدان سبب که می توان این جابجایی میدان کاوشگر را با اعمال یک میدان کنترلی خارجی و بدون دستکاری محیط اتمی مورد مطالعه، کنترل نمود مورد توجه ما در این پایان نامه است. نشان داده شده است که پرتو انعکاسی و عبوری از یک لایه ی دی الکتریک نسبت به پرتو تابیده شده دچار جابجایی عرضی می گردد. این پدیده دارای اهمیت زیادی در مدارهای مجتمع نوری و سیستم های مخابرات نوری می باشد. در این پروژه ی تحقیقاتی قصد داریم تا امکان کنترل این پدیده را از طریق آلایش اتم های ناخالصی به محیط انتشاری نور کنترل نماییم. اساس این طرح کنترل همدوس اتم های اعمال شده به محیط با استفاده از راهکارهای اپتیک کوانتومی می باشد. در نظر داریم از طریق تمام نوری و با استفاده از پدیده های اپتیک کوانتومی میزان جابجایی گوس-هانشن را کنترل نماییم