بررسی انتشار امواج تراهرتز در mos۲ در مرز بین دو دی الکتریک
دانلود متن کاملرایگان، با حساب کاربری؛ ثبت نام با گوگل چند ثانیه است
چکیده
امروزه خواص اپتیکی منحصر به فرد تک لایه mos2 به عنوان نیمه هادی دو-بعدی مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله از ضرایب فرنل برای تعیین خواص اپتیکی مانند جذب، بازتاب و عبور لایه mos2 در بازه ی تراهرتز استفاده شده است. ساختار کلی شامل دو محیط نیمه بی نهایت sio2 و هوا است که تک لایه mos2 در بین آنها قرار دارد. ما دریافتیم که بیشینه جذب برابر با مقدار اندک 6-10×5/2 است که در بازتاب داخلی، برای قطبش te و در زاویه حد رخ می دهد. این میزان جذب کم، نشان دهنده ی کاربردی بودن چنین لایه ای در ساخت ابزار نوری به ویژه الکترود شفاف و دیگر قطعات الکترونیکی است.