بررسی انتشار امواج تراهرتز در mos۲ در مرز بین دو دی الکتریک
Download full textFree with an account; signing up with Google takes seconds
Abstract(in Persian; no English abstract is available)
امروزه خواص اپتیکی منحصر به فرد تک لایه mos2 به عنوان نیمه هادی دو-بعدی مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله از ضرایب فرنل برای تعیین خواص اپتیکی مانند جذب، بازتاب و عبور لایه mos2 در بازه ی تراهرتز استفاده شده است. ساختار کلی شامل دو محیط نیمه بی نهایت sio2 و هوا است که تک لایه mos2 در بین آنها قرار دارد. ما دریافتیم که بیشینه جذب برابر با مقدار اندک 6-10×5/2 است که در بازتاب داخلی، برای قطبش te و در زاویه حد رخ می دهد. این میزان جذب کم، نشان دهنده ی کاربردی بودن چنین لایه ای در ساخت ابزار نوری به ویژه الکترود شفاف و دیگر قطعات الکترونیکی است.