مقایسه ساختار و مورفولوژی لایه های نازک cu بر زیر لایه gaasدر روش های الکتروانباشت و الکترولس
Download full textFree with an account; signing up with Google takes seconds
Abstract(in Persian; no English abstract is available)
در این تحقیق لایه های نازک مس بر زیرلایه ی نیم رسانای گالیوم آرسناید نوع n به دو روش الکتروانباشت و الکترولس رشد داده شدند. لایه های الکتروانباشت شده با مد جریان ثابت از ma 5 تاma30 و لایه های الکترولس شده در دماهای مختلف oc 25، oc77 تهیه شدند. ساختار و ریخت شناسی لایه ها به کمک دستگاه های xrd و sem مورد بررسی قرار گرفت. سپس پارامتر زبری لایه های الکتروانباشت شده در جریان های مختلف انباشت و هم چنین زبری لایه های الکترولس شده در دماهای مختلف به کمک میکرسکوپ نیروی اتمی afm مطالعه و با یکدیگر مقایسه می شوند.