بررسی ویژگی های ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت های دورگه ی al۲o۳/pvp (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)

سید باقر سلطانی; department of physics,univ. of buali sina hamedanگروه فیزیک، دانشگاه بوعلی سینا، همدان، ایران منوچهر بابایی پور; department of physics,univ. of buali sina hamedanگروه فیزیک، دانشگاه بوعلی سینا، همدان، ایران علی بهاری; department of solid state physic,univ. of mazandaran, babolsar2- گروه فیزیک حالت جامد، دانشگاه مازندران، بابلسر، ایران

Article

بررسی ویژگی های ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت های دورگه ی al۲o۳/pvp (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)

سید باقر سلطانی، department of physics,univ. of buali sina hamedanگروه فیزیک، دانشگاه بوعلی سینا، همدان، ایران منوچهر بابایی پور، department of physics,univ. of buali sina hamedanگروه فیزیک، دانشگاه بوعلی سینا، همدان، ایران علی بهاری، department of solid state physic,univ. of mazandaran, babolsar2- گروه فیزیک حالت جامد، دانشگاه مازندران، بابلسر، ایران

Download full textFree with an account; signing up with Google takes seconds

Abstract(in Persian; no English abstract is available)

نمونههای پودری نانوکامپوزیت دورگهای al2o3/pvp به روش سل-ژل در دمای 80 درجهی سانتیگراد سنتز شدهاند. درصد وزنی پلی وینیل فنول و اکسید آلومینیوم برابر صفر، 28/0، 56/0 و 84/0 بوده است. برای بررسی ویژگیهای نانوساختاری از روش فراپراشی پرتو ایکس، بینابسنجی تبدیل فوریه فروسرخ، میکروسکوپ الکترونی روبشی، و میکروسکوپ نیروی اتمی استفاده شد. ثابت دی الکتریک نمونهها با استفاده از روش gps 132 a محاسبه شدند. برپایهی نتایج بدست آمده بالاترین مقدار ثابت دی الکتریک در بسامد 120 کیلوهرتز وابسته به نمونهی ریزنهشته با ترکیب وزنی 28/0 درصد از pvp(35 =k ) و در بسامد 1 کیلوهرتز وابسته به نمونهی ریزنهشته با ترکیب وزنی 56/0 درصد از pvp (26 = k) است. بنابراین در فرکانس 120 کیلوهرتز، نمونهی ریزنهشته با ترکیب وزنی 28/0 درصد از pvp به سبب برخورداری از ضخامت معادل اکسیدی بالاتر، میزان زبری کمتر، خواص اهمی و i-v بهتر و کوچکی اندازه ریزبلورکها (قطر شرِر برابر با nm 45)، و ثابت دی الکتریک بالاتر و در نتیجه جریان نشتی کمتر، به عنوان درگاه دی الکتریک در ترانزیستورهای اثر میدانی توصیه میشوند.

Download full text

From the journal's site

Journal: بلورشناسی و کانی شناسی ایران

Save to library

Cite

سید باقر سلطانی, department of physics,univ. of buali sina hamedanگروه فیزیک، دانشگاه بوعلی سینا، همدان، ایران منوچهر بابایی پور, department of physics,univ. of buali sina hamedanگروه فیزیک، دانشگاه بوعلی سینا، همدان، ایران علی بهاری, department of solid state physic,univ. of mazandaran, babolsar2- گروه فیزیک حالت جامد، دانشگاه مازندران، بابلسر، ایران (n.d.). بررسی ویژگی های ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت های دورگه ی al۲o۳/pvp (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی). بلورشناسی و کانی شناسی ایران. https://www.virascience.com/paper/بررسی-ویژگیهای-ساختاری-و-الکتریکی-نانوکامپوزیتهای-دورگهی-al2o3pvprnبه-عنوان-درگاه-دی-الکتریک-ترانزیستورهای-اثر-میدانی-آلیrn/

@article{سلطانیnd,
  title = {بررسی ویژگی های ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت های دورگه ی al۲o۳/pvp (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)},
  author = {سید باقر سلطانی and department of physics,univ. of buali sina hamedanگروه فیزیک، دانشگاه بوعلی سینا، همدان، ایران منوچهر بابایی پور and department of physics,univ. of buali sina hamedanگروه فیزیک، دانشگاه بوعلی سینا، همدان، ایران علی بهاری and department of solid state physic,univ. of mazandaran, babolsar2- گروه فیزیک حالت جامد، دانشگاه مازندران، بابلسر، ایران},
  journal = {بلورشناسی و کانی شناسی ایران},
  url = {https://www.virascience.com/paper/بررسی-ویژگیهای-ساختاری-و-الکتریکی-نانوکامپوزیتهای-دورگهی-al2o3pvprnبه-عنوان-درگاه-دی-الکتریک-ترانزیستورهای-اثر-میدانی-آلیrn/}
}

TY  - JOUR
TI  - بررسی ویژگی های ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت های دورگه ی al۲o۳/pvp (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)
AU  - سید باقر سلطانی
AU  - department of physics,univ. of buali sina hamedanگروه فیزیک، دانشگاه بوعلی سینا، همدان، ایران منوچهر بابایی پور
AU  - department of physics,univ. of buali sina hamedanگروه فیزیک، دانشگاه بوعلی سینا، همدان، ایران علی بهاری
AU  - department of solid state physic,univ. of mazandaran, babolsar2- گروه فیزیک حالت جامد، دانشگاه مازندران، بابلسر، ایران
JO  - بلورشناسی و کانی شناسی ایران
UR  - https://www.virascience.com/paper/بررسی-ویژگیهای-ساختاری-و-الکتریکی-نانوکامپوزیتهای-دورگهی-al2o3pvprnبه-عنوان-درگاه-دی-الکتریک-ترانزیستورهای-اثر-میدانی-آلیrn/
ER  -

[
  {
    "id": "article:299280",
    "type": "article-journal",
    "title": "بررسی ویژگی های ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت های دورگه ی al۲o۳/pvp (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)",
    "author": [
      {
        "literal": "سید باقر سلطانی"
      },
      {
        "literal": "department of physics,univ. of buali sina hamedanگروه فیزیک، دانشگاه بوعلی سینا، همدان، ایران منوچهر بابایی پور"
      },
      {
        "literal": "department of physics,univ. of buali sina hamedanگروه فیزیک، دانشگاه بوعلی سینا، همدان، ایران علی بهاری"
      },
      {
        "literal": "department of solid state physic,univ. of mazandaran, babolsar2- گروه فیزیک حالت جامد، دانشگاه مازندران، بابلسر، ایران"
      }
    ],
    "URL": "https://www.virascience.com/paper/بررسی-ویژگیهای-ساختاری-و-الکتریکی-نانوکامپوزیتهای-دورگهی-al2o3pvprnبه-عنوان-درگاه-دی-الکتریک-ترانزیستورهای-اثر-میدانی-آلیrn/",
    "language": "fa",
    "container-title": "بلورشناسی و کانی شناسی ایران"
  }
]

BibTeX · RIS · CSL-JSON

Keywords

Similar items

بررسی ویژگی‌های ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت‌های دورگه‌ی Al2O3/PVP (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)
Article2017بلورشناسی و کانی شناسی ایرانبابایی پور, منوچهر، بهاری, علی، سلطانی, سید باقر
Al2O3/PVP nano-hybrid composite samples are synthesized using sol-gel method at 75°C. Weight percent of poly 4-vinyl phenol and aluminum oxide is 0.0, 0.28, 0.56, and 0.84. To study the nano-structural and electrical characteristics, X-ray diffraction, Fourier transfer infrared r
و مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی nio/pvcبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور
Article2014مجله فیزیک کاربردیعلی بهاری، امیر حیاتی
در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همرا
و مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی NiO/PVCبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور
Article2012فیزیک کاربردیامیر حیاتی، علی بهاری
در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همرا

بررسی ویژگی های ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت های دورگه ی al۲o۳/pvp (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)

Abstract(in Persian; no English abstract is available)

Similar items

بررسی ویژگی‌های ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت‌های دورگه‌ی Al2O3/PVP (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)

و مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی nio/pvcبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور

و مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی NiO/PVCبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور