بررسی جایگزینی mg بر خواص مغناطیسی، الکتریکی و ساختاری ترکیب la0/75sr0/25-xmgxmno3
Abstract(in Persian; no English abstract is available)
در این تحقیق خواص ساختاری، الکتریکی و مغناطیسی ترکیب منگنایت la0.75sr0.25-xmgxmno3 با درصد آلایش های مختلف ، مورد مطالعه قرار گرفته است. شش نمونه از ترکیب های la0.75sr0.25-xmgxmno3 با آلایش های مختلف، به روش واکنش حالت جامد ساخته شد. در بخش اول تحقیق اثر اضافه کردن mg و تغییر عامل تلرانس بر خواص ساختاری نمونه های la0.75sr0.25-xmgxmno3 با استفاده از پراش پرتو ایکس، بررسی شد. آنالیزهای پراش پرتو ایکس نشان دادند که یون در ترکیب جانشین یون شده است و سیستم دارای ساختار لوزی وجه می باشد. در بخش دوم، اندازه گیری پذیرفتاری مغناطیسی متناوب نمونه ها انجام شد. اندازه گیری های پذیرفتاری مغناطیسی نشان دادند که آلایش یون غیر مغناطیسی ، سبب کاهش پذیرفتاری مغناطیسی در سیستم خواهد شد. برای بررسی بیشتر تغییرات مولفه موهومی پذیرفتاری مغناطیسی ac با دما، در میدان های مغناطیسی و فرکانس های مختلف، برای نمونه ی با درصد آلایش مورد بررسی قرار گرفت. آنالیزهای پذیرفتاری مغناطیسی نشان دادند که افزایش فرکانس، قله-های قسمت موهومی پذیرفتاری مغناطیسی را به سمت دماهای بالاتر جا به جا می کند و افزایش میدان مغناطیسی این قله-ها را به سمت دماهای پایین تر جابه جا می کند. بدین معنی که میدان مغناطیسی و فرکانس نسبت به جابه جایی قله های قسمت موهومی پذیرفتاری مغناطیسی، عکس هم عمل می کنند. این رفتار نوعی ترکیباتی است که گذار اسپین شیشه ای دارند. در بخش آخر مقاومت الکتریکی نمونه ها در غیاب میدان مغناطیسی بر حسب دما، اندازه گیری شد. این بررسی ها نشان می دهند که با افزایش آلایش عنصر mg، مقاومت نمونه ها افزایش قابل ملاحظه ای را خواهند داشت، و دمای گذار عایق ـ فلز به سمت دماهای پایین جا به جا شده می شود. با استفاده از مدل پرکولاسیون جفت شدن یون های منگنز و اسپین الکترون های رسانش بررسی شد، که این جفت شدگی مسول رسانش در سیستم می باشد. با توجه به اینکه یون mg+2 در جایگاه یون جانشین می شود، لذا وارد شدن یونmg+2، به ترکیب، سبب تغییر در نسبت خواهد شد و اثر تبادل دوگانه را در سیستم تضعیف می کند. تضعیف اثر تبادل دوگانه منجر به افزایش مقاومت در سیستم خواهد شد. بخشی از نتایج حاصل این کار در کنفرانس های داخلی و خارجی ارا یه شد.