تهیه لایه نازک از نانو بلورهای کادمیم سلنید به روش حمام شیمیایی و تعیین ویژگی های آن و بررسی عوامل موثر بر آن ویژگی ها

تهیه لایه نازک قلع سولفید (sns) به روش حمام شیمیایی و پخت آن برای تبدیل به نانوبلور دی اکسید قلع (sno2) شفاف

رشد لایه نازک نانوکریستالی سرب سولفید به روش حمام شیمیایی و مطالعه ی اثر فتورسانایی آن برای کاربردهای اپتوالکترونیک

آشکارسازهای زیرقرمز "چشم میدان جنگ دیجیتال" نامیده شده اند. کاربرد های نظامی این دستگاه ها در کشور های غربی موجب پیشگام شدن و غلبه ی نیازمندی ها در این زمینه نسبت به‎سایر زمینه ها شده است. علاوه بر کاربردهای بسیار این سیستم‎ها در فعالیت های نظامی از جمله کشف هدف، جست و جو و به دا

ساخت و مشخصه نگاری لایه های نازک نانو بلورهای niazno به روش سل-ژل

در این پژوهش لایه های نازک znnialo به روش سل-ژل بر روی زیر لا یه های شیشه ای قرار داده می شوند. سپس نمونه هایی با ضخامت های 40 ، 90 ، 320 ، 410 و 500 نانو متر ساخته شده و اثر ضخامت لایه ها بر روی خواص ساختاری ، اپتیکی و الکتریکی آنها مورد مطالعه قرار می گیرد. با بررسی الگوهای پرا

تهیه لایه های نازک سلنید قلع(snse) به روش حمام شیمیایی و بررسی خواص ساختاری و نوری آنها در دمای اتاق

چکیده: سلنید قلع (snse)نیمرسانایی از نوع iv-vi بیش از یک دهه است که بخاطر خواص بی- نظیرش در دیودهای نورگسیل، دیودهای لیزری، در کلیدزنهای حافظه ای و تولیدات مادون قرمز توجه زیادی را به خود جلب کرده است. برای تهیه فیلم های snse با کیفیت بالا از روش های مختلفی مانند نهشت بخار شیمیای

تهیه ی لایه های نازک نانوساختار سلنید قلع (snse) به روش حمام شیمیایی و بررسی ترابرد الکترونی آن ها در محدوده ی دمایی 120-400 کلوین

سلنید قلع (snse) یکی از نیم رساناهای iv-vi است. این نیم رساناها مدت بیش از یک دهه است که بخاطر خواص بی نظیرشان در اپتو الکترونیک مانند دیود های نور گسیل، دیود های لیزری، کلید زنهای حافظه ای و تولیدات مادون قرمز توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. برای تهیه فیلم های سلنید قلع با کی

مطالعه ساختار و اندازه گیری پارامترهای الکتریکی لایه های نازک نانوساختار سلنیدقلع (snse) تهیه شده به روش حمام شیمیایی در دمای اتاق

از بین روشهای مختلف تهیه لایه های نازک سلنیدقلع، ساد ترین و ارزانترین روش، همان روش حمام شیمیایی است که قادر است در دمای اتاق فیلمهای با کیفیت خوب را برای کاربرد در قطعات الکترونیکی تولید نماید. در این کار تجربی ضریب ثابت هال ،مقاومت ویژه،رسانندگی الکتریکی، تحرک پذیری و چگالی حام

تهیه لایه نازک نانوساختار سولفیدقلع (SnS) به روش حمام شیمیایی و بررسی اثر عامل کمپلکس دهنده بر ویژگی های آن

دراین مطالعه لایه های نازک نانو ساختار سولفید قلع با استفاده از دو عامل کمپلکس دهنده آمونیوم استات و هگزا متیلنتترامین به روش حمام شیمیایی بر روی زیر لایه شیشه ای و زیر لایه انعطاف پذیر پلی اتیلن تر فتالات( PET )تهیه گردید. اثر عامل کمپلکس دهنده بر مورفولوژی سطح، ساختار، خواص نور

تأثیر غلظت عامل کمپلکس‌ساز نمک آمونیم بر خواص ساختاری و نوری لایه نازک نانوساختار سولفید کادمیم تهیه شده به روش نشست شیمیایی

با توجه به اهمیت تهیه لایه‌های نازک نانوساختار نیمه ‌‌هادی‌های نوری گروه II-VI از طریق روش‌های ارزان و ساده شیمیایی، در کار پژوهشی حاضر ضمن استفاده از روش لایه نشانی شیمیایی CBD، در راستای کنترل رشد چنین لایه‌هایی، تاثیر غلظت عامل کمپلکس‌ساز نمک آمونیوم بر خواص ساختاری و نوری لای

لایه‌نشانی، مشخصه‌یابی و بررسی خواص الکتریکی نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی آلاییده شده با منیزیم تهیه شده به روش سل – ژل

اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه ‌رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه ‌نشانی به روش سل – ژل، پوشش ‌های

بررسی اثر غلظت وانادیوم بر خواص اپتیکی و الکتریکی لایه نازک نانو ساختار دی اکسید تیتانیوم تهیه شده به روش سل – ژل

در این پژوهش، لایه نازک دی اکسید تیتانیوم آلاییده شده با وانادیوم با غلظت­های مختلف ( 5/1،0 و 5 درصد وزنی) به روش سل-ژل بر روی زیرلایه­های شیشه­ای رسوب داده شد. خواص ساختاری، آنالیز عنصری، الکتریکی، اپتیکی و زبری سطح لایه­های نازک به ترتیب توسط روش­های XRD، DES، LCR meter، طیف سن