بررسی اثر نقص در بلورهای فوتونی یک بعدی متشکل از مواد راستگرد و چپگرد
چکیده
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
در سال 1962 هارتمن در راستای مطالعات خود عبارتی تحلیلی را برای تاخیر زمن (تاخیر گروه یا زمان فازی) در تونل زنی از مانع بدست آورد این زمان عبور دارای مقدار محدود و کوتاهی بود که متناسب با فاصله ی انتشار اشباع می شد. به این معنی که برای موانع به اندازه ی کافی ضخیم تاخیر زمانی مستقل
اخیراً توجه زیادی به فیلترهای بلور فوتونی تنظیم پذیر در امر ارتباطات اپتیکی شده است. با توجه به کاربردهای وسیع این فیلترها، طرح های مختلفی جهت ساخت آنها ارائه شده است و از مواد مختلفی نظیر نیمه هادی ها و فرو الکتریک ها در ساخت آنها استفاده شده است. اما مهمترین مسأله در ساخت فیلتر
بررسی تاثیر خاصیت شنل پنهان ساز پلاسمونیکی دولایه متحدالمرکز بر یک استوانه دی الکتریک بی نهایت است، زمانی که این استوانه به عنوان سلول پایه در یک بلور فوتونی دوبعدی جایگزین یک استوانه دی الکتریک بدون پوشش با طول بی نهایت میگردد. هدف، بررسی و مقایسه طیف عبوری دو بلور فوتونی ذکر شد
بلورهای فوتونی با شکاف نواری فوتونی، موادی هستند که دارای ساختار متناوب هستند. مطالعه ساختارهای این مواد توجه خیلی زیادی را به هر دو حوزه تئوری و تجربی به خاطر پتانسیل کاربردیشان در اپتوالکترونیک و همچنین توانایی کاربردی این مواد در ارتباطات از راه دور، شامل موجبرها، فیلترهای نور
در این پایان نامه بلور فوتونی دو بعدی متشکل از دو نانو استوانه هم مرکز دی الکتریک-فلز را در شبکه مربعی با استفاده از روش بسط موج تخت اصلاح یافته شبیه سازی و مورد مطالعه قرار داده-ایم. چهار ساختار در نظر گرفته شده، اولین ساختار، بلور فوتونی دو بعدی متشکل از نانو میله های دی الکتری
بلورهای فوتونی ساختارهای متناوبی هستند که به منظور کنترل انتشار نور به طور مصنوعی طراحی شده اند. بسته به نوع مواد تشکیل دهنده بلورهای فوتونی به دو دسته تقسیم می شوند: (1) بلورهای فوتونی دی الکتریک (2) بلورهای فوتونی پاشنده مانند بلورهای فوتونی فلزی، نیمه هادی و مغناطیسی. در یک بل
در این مقاله، ویژگی های تراگسیلی بلور فوتونی یک بعدی حاوی لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر و با تغییر المان قطری تانسور گذردهی الکتریکی لایۀ نقص بررسی شده است. برای انجام محاسبات روش ماتریس انتقال 4×4 به کار گرفته شده است. بررسی نتایج نشان می دهد که چنین ساختاری برای
در این مقاله، ویژگیهای تراگسیلی بلور فوتونی یک بعدی حاوی لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر و با تغییر المان قطری تانسور گذردهی الکتریکی لایۀ نقص بررسی شده است. برای انجام محاسبات روش ماتریس انتقال 4×4 به کار گرفته شده است. بررسی نتایج نشان میدهد که چنین ساختاری برای
تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن ش
تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصههای اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی میباشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کردهایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهنش
نانوساختار دی سلنید مولیبدن MoSe2 با ساختار دوبعدی شش ضلعی، به علت ویژگیهای منحصر به فرد از جمله جذب بالا و گاف نواری مستقیم انتخاب مناسبی برای کاربریهای اپتوالکترونیکی میباشد. یکی از روشهای افزایش جذب در این تک لایه، قرار دادن آن به صورت نقص در ساختارهای بلور فوتونی یک بعدی
: در این تحقیق ساختار باند فوتونی در بلورهای فوتونی دو بعدی با شبکه مثلثی از میله های تلوریم با اشکال هندسی متفاوت در زمینه پلاسما مورد بررسی قرار میگیرد. نتایج محاسبات عددی بر پایه روش تفاضل های متناهی در حوزه زمان نشان میدهد که در ساختارهای ذکر شده به ازای پارامترهای ساختاری