بررسی حالت های سطحی در بلورهای فوتونی و کاربردهای آن
چکیده
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
در سال های اخیر بلورهای فوتونی به خاطر خواص جالبشان در کنترل انتشار امواج الکترومغناطیسی مورد توجه زیادی قرارگرفته اند. به طوری که از آنها در ساخت قطعات فوتونی خصوصا در مدارهای مجتمع فوتونی استفاده های زیادی شده است. بلورهای فوتونی، ساختارهای دی الکتریک متناوب هستند که بطور مصنوع
در دهه های اخیر بلورهای فوتونی مورد توجه بسیار زیادی قرار گرفته اند و نوید بخش تحولات عظیم مخصوصاً در زمینه صنعت مخابرات و ارتباطات می باشند و انتظار می رود که در آینده ای نه چندان دور شاهد تحولات شگرف (مشابه تحولات بوجود آمده در زمان کشف نیمرساناها) در زمینه قطعات اپتوالکتریک با
بلورهای فوتونی ساختارهای متناوبی هستند که به منظور کنترل انتشار نور به طور مصنوعی طراحی شده اند. بسته به نوع مواد تشکیل دهنده بلورهای فوتونی به دو دسته تقسیم می شوند: (1) بلورهای فوتونی دی الکتریک (2) بلورهای فوتونی پاشنده مانند بلورهای فوتونی فلزی، نیمه هادی و مغناطیسی. در یک بل
بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوب هستند که بطور مصنوعی ساخته می شوند و در تشابه با نیمه هادی ها دارای یک ناحیه ی ممنوعه ی فرکانسی می باشند. انتشار امواج در این ناحیه که به گاف نواری فوتونی معروف است ممنوع می باشد. همانطور که در بلورهای معمولی، تناوب پتانسیل شبکه باعث ایج
موقع مطالعه در مورد مواد نوری متداول دو نوع ناحیه پراکندگی وجود دارد. در یک ناحیه محیط یکنواخت که تغییرات در ویژگی ماده آن در مقایسه با طول موج نور تابشی خیلی کوچک است(شکل 1-الف)[2]. در این محیط که از ذرات پراکننده مجزا مانند اتم ها ساخته شده، یک پاسخ نوری متوسط توسط اتمها ایجاد
بلورهای فوتونی با شکاف نواری فوتونی، موادی هستند که دارای ساختار متناوب هستند. مطالعه ساختارهای این مواد توجه خیلی زیادی را به هر دو حوزه تئوری و تجربی به خاطر پتانسیل کاربردیشان در اپتوالکترونیک و همچنین توانایی کاربردی این مواد در ارتباطات از راه دور، شامل موجبرها، فیلترهای نور
در این مقاله، بلورهای فوتونی تابعی را که در آنها ثابت دیالکتریک مراکز پراکندگی (میلهها) تابعی از مکان است، مورد مطالعه قرار دادهایم. شبکه مورد بررسی هگزاگونال بوده و سطح مقطع میلهها نیز دارای تقارن دایروی است که در زمینه هوا قرار گرفتهاند. ساختار نوار فوتونی در هر دو قطبش ال
تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن ش
تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصههای اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی میباشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کردهایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهنش
با استفاده از روش نگاشت دیریکله- نویمن، توانستهایم ساختار نوار فوتونی بلورهای فوتونی فلزی حلقوی را محاسبه کنیم. شبکه مورد بررسی مربعی بوده و مراکز پراکندگی (میلهها) به شکل حلقههای هوا واقع در زمینه فلزی و همچنین حلقههای فلزی واقع در زمینه هوا هستند. ساختار نوار فوتونی در هر د
در این مقاله، طراحی و شبیهسازی نوع جدیدی از حافظههای نوری مبتنی بر نور کند در ساختار بلور فوتونی نوع میله با شبکه ششضلعی برای اولین بار ارائه میشود که کنترل فرآیند نوشتن، نگهداری و خواندن اطلاعات به صورت مستقل و با تغییر ضریبشکست صورت میگیرد. حافظه نوری معرفیشده از نوع فل
: در این تحقیق ساختار باند فوتونی در بلورهای فوتونی دو بعدی با شبکه مثلثی از میله های تلوریم با اشکال هندسی متفاوت در زمینه پلاسما مورد بررسی قرار میگیرد. نتایج محاسبات عددی بر پایه روش تفاضل های متناهی در حوزه زمان نشان میدهد که در ساختارهای ذکر شده به ازای پارامترهای ساختاری