مشخصات ساختاری اپتیکی و الکتریکی فیلم های نازک ito ساخته شده به وسیله روش تبخیر در خلاء
چکیده
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
اکسید روی یک نیمه رسانای نوع n- با محدوده گاف انرژی پهن ev4/3-2/3 می باشد. چون اکسید روی دارای فاصله بین ترازی پهن درمحدود? مرئی است، بعنوان یک ماده مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مانند رساناهای شفاف، حسگرهای گازی? واریستورها، دستگاه های موج اکوستیکی سطح(saw) ،
در این پایان نامه لایه های نازک cd1-xznxs تهیه گردیده و خواص ساختاری آنها بوسیله آنالیزهای پراش اشعه ایکس و fesemمورد بررسی قرار گرفت. اندازه بلورک ها، نوع ساختار و پارامترهای ساختاری همچون ثابت شبکه و فاصله صفحات از روی طیف اشعه ایکس نمونه ها محاسبه گردیده و مورد مطالعه قرار گرف
در این پایان نامه، نانوساختارهای لایه نازک اکسید وانادیوم با ناخالصی فلوئور وآلومینیم، به روش شیمیایی اسپری پایرولیزیز در دمای ثابت c°450 تهیه شدند. اثر افزایش ناخالصی فلوئور و آلومینیوم با درصدهای مختلف، روی ویژگی های ساختاری،الکتریکی و اپتیکی اکسید وانادیوم بررسی شد. طرح پراش پ
شیشه های اکسیدی شامل اکسیدهای عناصر واسطه بطور وسیع بخاطر خواص نیمرسانایی آنها مورد بررسی قرار گرفته اند. شیشه های تهیه شده بر اساس اکسید تلور (teo2) دارای توانایی جالب تشکیل شیشه بوده و خواص رطوبتی از خود نشان نمی دهند، دارای ضریب انبساط حرارتی بالا، دمای گذار شیشه ای پایین بوده
لایههای نازک اکسیدی فلزی مانند اکسید ایندیم آلاییده با قلع (ito) دارای ویژگیهای منحصربفردی از قبیل رسانندگی خوب، تراگسیلندگی اپتیکی بالا در ناحیه مرئی، چسبندگی عالی به زیرلایه، پایداری شیمیایی و خواص فوتوشیمیایی هستند. این خواص از رفتار نیمرسانای تبهگن نوع n و گاف باندی پهن آنه
لایه های نازک سولفید کادمیوم آلاییده شده توسط آهن کاربرد های وسیعی در تهیه سلول های خورشیدی و آشکار سازهای نوری، مواد نور رسانا و ترانزیستور های لایه نازک و ... دارند. در تحقیق حاضر، به بررسی خواص ساختاری و اپتیکی سولفید کادمیوم آلاییده با آهن تهیه شده به روش تبخیر آنی و تأثیر می
لایههای نازک سلنیدروی و سلنیدروی/مس با موفقیت به روش تبخیر خلاء تهیه شدند. با استفاده از طیفسنجی مرئی- فرابنقش خواص نوری آنها بررسی شد. در ناحیه شفاف، نمونه لایه نازک سلنیدروی عبور بهتری نسبت به لایه نازک سلنیدروی/مس را از خود نشان داد. ضریب شکست نمونه سلنیدروی در طول موجهای
لایه های نازک zns در دو دمای مختلف زیر لایه 25oc و 200oc و در ضخامت های مختلف 100nm-600nm بر روی زیرلایه شیشه به روش تبخیر در خلاء لایه نشانی شدند. طیف جذب و عبور برای تعیین گاف انرژی، ضریب جذب و ثابت خاموشی نمونه ها تهیه گردید. از بررسی این طیف ها مشخص شد که با کاهش دمای زیر لای
لایههای نازک ZnS در دو دمای مختلف زیر لایه 25oC و 200oC و در ضخامتهای مختلف 100nm-600nm بر روی زیرلایه شیشه به روش تبخیر در خلاء لایهنشانی شدند. طیف جذب و عبور برای تعیین گاف انرژی، ضریب جذب و ثابت خاموشی نمونهها تهیه گردید. از بررسی این طیفها مشخص شد که با کاهش دمای زیر لای
لایه های نازک اکسید روی آلایش یافته با ناخالصی نیتروژن (ZnO:N) به روش اسپری پایرولیزیز بر روی شیشه و نیز لایه واسط اکسید روی خالص در دمای 0C450 به روش اسپری پایرولیزیز سنتز شدند. طیف XRD نمونه ها نشان دهنده رشد نمونه ها به صورت بس بلوری در فاز ششگوشی بوده در حالی که جهتگیری ترجیح
لایه های نازک اکسید روی آلایش یافته با ناخالصی نیتروژن (zno:n) به روش اسپری پایرولیزیز بر روی شیشه و نیز لایه واسط اکسید روی خالص در دمای 0c450 به روش اسپری پایرولیزیز سنتز شدند. طیف xrd نمونه ها نشان دهنده رشد نمونه ها به صورت بس بلوری در فاز ششگوشی بوده در حالی که جهتگیری ترجیح
در این کار تجربی لایه های نازک اکسید ایندیم آلاییده با اکسید قلع (ito) با ترکیب های مختلفی از 60 تا wt%95 اکسید ایندیم و 40 تا wt%5 اکسید قلع با استفاده از روش تبخیر با باریکه الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای نهشته شدند. لایه ها پس از نهشت، به مدت 3 ساعت در هوا در دمای cْ450 ت