ساخت و مشخصه یابی لایه های نازک نیمه رسانای sno2:co به روش تبخیر پرتو الکترونی

مشخصه یابی فیلم های نازک sno2:fe تهیه شده به روش تبخیر پرتو الکترونی و مطالعه رفتار فرومغناطیسی در آنها

سنتز و مشخصه یابی نانوذرات sb1.5bi.5te3 به روش سالوترمال و ساخت لایه نازک آن به روش تبخیر حرارتی در خلا و بررسی خواص ساختاری و ترموالکتریکی آن

موادی که انرژی گرمایی را به انرژی الکتریکی تبدیل می کنند به عنوان مواد ترموالکتریک شناخته می شوند که در ساخت قطعات ترموالکتریک از قبیل ژنراتورها و خنک کننده ها استفاده می شوند که دارای مزایایی از قبیل نداشتن هیچ بخش متحرک و سازگار بودن با محیط زیست هستند. عملکرد ترموالکتریکی مواد

ساخت و مشخصه یابی لایه های نازک کربن الماس گونه (dlc) با ساختارهای نانویی به روش tcvd و hwcvd

در این تحقیق، ساخت و مشخصه یابی لایه های نازک کربن الماس گونه (dlc)، نانو بلور کربن الماس گونه (ncdlc)، کربن الماس گونه بی شکل(dlac) و به طور کلی کربن های الماس گونه نانو ساختار، همچنین الماس بس بلور (pcd) انجام گردیده است. این فیلم ها با استفاده از دو روش رسوب گذاری بخار شیمیایی

ساخت، مشخصه یابی و کاربرد حسگری نانوساختارهای لایه نازک اکسید هادی شفاف zno:cu با هدایت نوع p متشکل از نانوبلورک ها؛ و نانومیله ها و نانوسیم های zno

اکسید روی (zno) به عنوان یک اکسید رسانای شفاف (tco)، یکی از مهم ترین نیمرسانا های ترکیبی ii-vi است. zno به طور ذاتی، یک نیمرسانا نوع n است؛ درحالی که برای ساخت قطعات اپتوالکترونیک شفاف، هر دو نوع رسانندگی n و p مورد نیاز است. در این رساله، نتایج مطالعات و کارهای تجربی در زمینه ها

ساخت و مشخصه یابی لایه های نازک به کار رفته در سلول های خورشیدی لایه نازک نانوساختار

هدف اصلی این رساله ساخت، مشخصه یابی و بهینه سازی لایه های مختلف به کار رفته در سلول های خورشیدی نانو ساختار می باشد. یکی از مهمترین بخشهای سلول خورشیدی لایه رسانای شفاف (الکترود شفاف) می باشد که کیفیت آن تاثیر مستقیم در عملکرد سلول خورشیدی دارد. به همین منظور لایه های fto به روش

ساخت و مشخصه یابی لایه های نازک سولفیدروی به روش اسپری گرمایی

لایه های نازک سولفید روی به علت کاربردهایشان در وسایل اپتوالکترونیک مانند دیودها، نمایشگرهای صفحه تخت و پوشش های ضد بازتاب در فناوری های سلول های خورشیدی، بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. از میان انواع روش های لایه نشانی سولفید روی، اسپری گرمایی به دلیل هزینه کم، سادگی، توانایی کن

ساخت لایه های نازک نانو ساختارTiO2-SnO2 تهیه شده به روش های باریکه الکترونی و سل ژل به عنوان حسگر اتانول

لایه های نازک نانوساختار 2-SnO2 TiOبروی زیرلایه شیشه به روش های باریکه الکترونی و سل ژل ساخته شدند. خواص ساختاری سطح، مورفولوژی و عبوراپتیکی لایه ها توسط پراش اشعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی و اسپکترومتر UV/VIS/NIR انجام پذیرفت. ضخامت لایه های نازک کمتر از 300 نانومتر اندازه

تاثیر غلظت آلاینده اکسید قلع بر خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید ایندیم تهیه شده به روش تبخیر با باریکه الکترونی

در این کار تجربی لایه های نازک اکسید ایندیم آلاییده با اکسید قلع (ito) با ترکیب های مختلفی از 60 تا wt%95 اکسید ایندیم و 40 تا wt%5 اکسید قلع با استفاده از روش تبخیر با باریکه الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای نهشته شدند. لایه ها پس از نهشت، به مدت 3 ساعت در هوا در دمای cْ450 ت

عوامل موثر در تهیه لایه های نازک نیمه هادی P/CdTe به روش تبخیر در خلاء

لایه های نازک نیمه هادی تلورید کادمیوم به روش تبخیر در خلاء بر روی زیر لایه های نیکل

مشخصه یابی خواص لایه نازک الکترواپتیکی ZnO:Alساخته شده به روش ترکیبی کندوپاش پلاسمایی ساده و اکسیداسیون حرارتی

علاقه به تحقیق و پژوهش در زمینه پلاسماهای غباری که رشته جدیدی در فیزیک پلاسما می‌باشد با توسعه صنعت میکروالکترونیک رشد چشمگیری داشته است. ذرات غبار که تا کنون به عنوان آلودگی در نظر گرفته می‌شدند، امروزه در فنآوری های لایه گذاری برای صنایع میکروالکترونیک، اپتیک، الکترواپتیک استفا

رشد و مشخصه یابی ساختاری و الکتریکی نانو ذرات si تهیه شده به روش تبخیر با باریکه الکترونی

نانو ذرات siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه p-si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند د

رشد و مشخصه یابی ساختاری و الکتریکی نانو ذرات Si تهیه شده به روش تبخیر با باریکه الکترونی

نانو ذرات Siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه p-Si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند د