مشخصه یابی فیلم های نازک sno2:fe تهیه شده به روش تبخیر پرتو الکترونی و مطالعه رفتار فرومغناطیسی در آنها

ساخت و مشخصه یابی لایه های نازک نیمه رسانای sno2:co به روش تبخیر پرتو الکترونی

مشخصه یابی فیلم نازک (نانوذره) zns تهیه شده به روش تبخیر گرمایی

لایه¬های نازک نیمرسانای سولفید روی (zns) از جمله نیمه هادیهای ترکیبی گروههای ii-vi می¬باشد که به دلیل کاربرد وسیعش دراپتو الکترونیک، مانند دیودهای منتشرکننده نور آبی، قطعات الکترولومینسانس و سلولهای فوتو ولتائیک تحقیقات فراوانی روی آن صورت گرفته است. در این تحقیق لایه¬های نازک سو

ساخت و مشخصه یابی اپتیکی و لومینسانس لایه های نازک sno2 به روش تبخیر گرمایی

اکسیدهای نیمه رسانا باساختار نانویی، به دلیل خواص منحصربه فرد فیزیکی شان در اثرات تحدید کوانتومی، توجهات زیادی را به خود جلب کرده اند. از میان نیمه رساناها دی اکسیدقلع (sno2) با گاف انرژی پهن (ev 3.6 دردمای k 300)، یک ماده کاربردی کلیدی می باشدکه به طور گسترده ای برای وسایل اپتوا

مشخصه یابی فیلم نازک اکسید روی آلاییده شده با کبالت رشد داده شده به روش لایه نشانی لیزر پالسی

تهیه و مشخصه یابی فیلم های نازک اکسید روی تهیه شده به روش انباشت شیمیایی بخار (cvd)

در این تحقیق، خواص اپتیکی و ساختاری فیلم های نازک اکسید روی مورد مطالعه قرار گرفته است. برای پوشش این فیلمها، از روش انباشت بخار شیمیایی (cvd) و با کمک تکنیک فعال سازی حرارتی استفاده شده است. زینک استات بعنوان پیش ماده بکار رفته است. گاز اکسیژن جهت انجام واکنش و تشکیل اکسید روی و

سنتز و مشخصه یابی نانوذرات sb1.5bi.5te3 به روش سالوترمال و ساخت لایه نازک آن به روش تبخیر حرارتی در خلا و بررسی خواص ساختاری و ترموالکتریکی آن

موادی که انرژی گرمایی را به انرژی الکتریکی تبدیل می کنند به عنوان مواد ترموالکتریک شناخته می شوند که در ساخت قطعات ترموالکتریک از قبیل ژنراتورها و خنک کننده ها استفاده می شوند که دارای مزایایی از قبیل نداشتن هیچ بخش متحرک و سازگار بودن با محیط زیست هستند. عملکرد ترموالکتریکی مواد

بررسی و مطالعه سختی و رفتار سایشی سه پوشش TiN، TiCN و TiN-TiCN-TiN اعمال شده بر روی فولاد ابزار D2 به روش تبخیر پرتو الکترونی EB-PVD

در میان پوشش های سخت، پوشش نیترید تیتانیوم (TiN) وکربونیترید تیتانیوم (TiCN) به علت برخوداری از سختی بالا، مقاومت به خوردگی خوب و ضریب اصطکاک کم توانسته‌اند تا بیش از ده برابر باعث افزایش طول عمر یک ابزار گردند. اعمال این دو پوشش بر روی زیر لایه های مختلف می تواند توسط فرآیند های

بررسی و مطالعه سختی و رفتار سایشی سه پوشش tin، ticn و tin-ticn-tin اعمال شده بر روی فولاد ابزار d2 به روش تبخیر پرتو الکترونی eb-pvd

در میان پوشش های سخت، پوشش نیترید تیتانیوم (tin) وکربونیترید تیتانیوم (ticn) به علت برخوداری از سختی بالا، مقاومت به خوردگی خوب و ضریب اصطکاک کم توانسته اند تا بیش از ده برابر باعث افزایش طول عمر یک ابزار گردند. اعمال این دو پوشش بر روی زیر لایه های مختلف می تواند توسط فرآیند های

بررسی و مطالعه سختی و رفتار سایشی سه پوشش tin، ticn و tin-ticn-tin اعمال شده بر روی فولاد ابزار d۲ به روش تبخیر پرتو الکترونی eb-pvd

در میان پوشش های سخت، پوشش نیترید تیتانیوم (tin) وکربونیترید تیتانیوم (ticn) به علت برخوداری از سختی بالا، مقاومت به خوردگی خوب و ضریب اصطکاک کم توانسته اند تا بیش از ده برابر باعث افزایش طول عمر یک ابزار گردند. اعمال این دو پوشش بر روی زیر لایه های مختلف می تواند توسط فرآیند های

ساخت لایه های نازک نانو ساختارTiO2-SnO2 تهیه شده به روش های باریکه الکترونی و سل ژل به عنوان حسگر اتانول

لایه های نازک نانوساختار 2-SnO2 TiOبروی زیرلایه شیشه به روش های باریکه الکترونی و سل ژل ساخته شدند. خواص ساختاری سطح، مورفولوژی و عبوراپتیکی لایه ها توسط پراش اشعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی و اسپکترومتر UV/VIS/NIR انجام پذیرفت. ضخامت لایه های نازک کمتر از 300 نانومتر اندازه

رشد و مشخصه یابی ساختاری و الکتریکی نانو ذرات si تهیه شده به روش تبخیر با باریکه الکترونی

نانو ذرات siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه p-si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند د

رشد و مشخصه یابی ساختاری و الکتریکی نانو ذرات Si تهیه شده به روش تبخیر با باریکه الکترونی

نانو ذرات Siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه p-Si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند د