تونل زنی الکترون با اسپین قطبیده در نانو ساختارهای مغناطیسی در حضور ناکاملی
چکیده
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
در این پژوهش فرایندهای تونل زنی وابسته به اسپین الکترون ها را از ساختارهای نامتجانس مغناطیسی به صورت فرومغناطیس/نیمرسانا/فرومغناطیس مورد بررسی قرار داده و تاثیر دو برهم کنش اسپین- مدار درسل هاس و راشبا را به طور جداگانه بر این فرایندها به دست آورده ایم. سپس این دو برهم کنش اسپین-
در این تحقیق، تاثیر تعداد و نحوه¬ی قرارگیری انواع ناکاملی¬ها از جمله: مثلثی، مربعی و دایره¬ای بر روی سازوکار بازگشت مغناطش و انرژی وامغناطیدگی یک نانو ذره¬ی مغناطیسی از جنس پرمالوی به¬وسیله¬ی نرم¬افزار oommf صورت می¬گیرد. فرآیندهای تغییر و بازگشت مغناطش یک نانو نقطه¬ی مغناطیسی به
از زمان کشف پدیده هایی مانند مقاومت مغناطیسی بزرگ و مقاومت مغناطیسی تونل زنی در چند لایه های مغناطیسی، تحقیقات وسیعی بر روی مواد مغناطیسی و لایه های نازک مغناطیسی انجام شده است. تلاش فیزیکدان ها در این زمینه باعث ساختن نانو ساختارها و چند لایه های مغناطیسی و به کار بردن آن ها در
پایان نامه حاضر به مطالعه و بررسی مقاومت مغناطیسی تونل زنی در نانو ساختار نامتجانس gaas/ gamnas مبتنی بر نیمرسانای مغناطیسی رقیق در حضور میدان مغناطیسی خارجی و همچنین بایاس اعمالی خارجی به صورت تئوری می پردازد .محاسبات در مدل الکترون تقریبا آزاد (جرم موثر) ودر چهارچوب تئوری ماتری
الگوریتم های محاسبات کوانتومی در واقع عملیات متوالی منطقی هستند که روی کیوبیت ها انجام می گیرند. در حالت کلی کیوبیت ها اطلاعات کوانتومی را ذخیره می کنند و توسط عملیات منطقی کنترل شده که تحت عنوان گیتهای کوانتومی خوانده می شوند، تغییر حالت می دهند. بدین منظور سیستم-های فیزیکی بسیا