پایان نامه حاضر به مطالعه و بررسی مقاومت مغناطیسی تونل زنی در نانو ساختار نامتجانس gaas/ gamnas مبتنی بر نیمرسانای مغناطیسی رقیق در حضور میدان مغناطیسی خارجی و همچنین بایاس اعمالی خارجی به صورت تئوری می پردازد .محاسبات در مدل الکترون تقریبا آزاد (جرم موثر) ودر چهارچوب تئوری ماتریس انتقال در رژیم همدوسی صورت گرفته است
در این رساله، با استفاده از تقریب بستگی قوی تک نواری و رهیافت تابع گرین، اثر ناهمواری بر مقاومت مغناطیسی تونل زنی (tmr) در پیوندگاه های fe/mgo/fe محاسبه شد. پدیده ی tmr در اثر تونل زنی اسپین الکترون در پیوندگاه های مغناطیسی تونل زنی مشاهده می شود. این پیوندگاه ها از لایه های فروم
در فصل اول تئوری تابعی چگالی مورد بررسی قرار گرفت. در فصل دوم به مطالعه خواص نیمرسانائی و مغناطیسی پرداخته شد. در فصل سوم خواص ساختاری و مغناطیسی سه ساختار انبوهه zno مورد بررسی قرار گرفت. برای اینکار ابتدا ابریاخته مناسب تولید و سپس آلائیدن با درصدهای مختلف به عنوان ناخالصی مغنا
نظریه ی تابعی چگالی بستر نظری ارزشمندی را برای مطالعه ی گستره ی وسیعی از مواد با ویژگی های متنوع فراهم آورده است و دسته معادلات تک ذره ی کوهن-شم از مهم ترین راهکارهای موجود برای بروز توانمندی های این نظریه است. در فصل اول نحوه ی مطالعه ی سیستم های مغناطیسی را در نظریه ی تابعی چگا