مطالعه تحلیلی زمان تونل زنی در ساختارهای نامتناجس مغناطیسی

بررسی زمان تونل زنی اسپینی در ساختارهای چند لایه ای gamnas / gaas و فلز غیرمغناطیسی / eus

در سالهای اخیر با پیشرفت در کوچک سازی قطعات نیمرسانای تونلی، جنبه زمانی فرایند تونل زنی مورد توجه زیادی قرار گرفته است. علاوه بر اهمیت ذاتی کوانتوم مکانیکی مسئله، زمان تونل زنی از نظر فهم دینامیک تونل زنی در قطعات با سرعت بالا نیز از اهمیت بسزایی برخوردار است، زیرا زمان تونل زنی

مقاومت مغناطیسی تونل زنی در ساختارهای نامتجانس نیم رسانای مغناطیسی رقیق

پایان نامه حاضر به مطالعه و بررسی مقاومت مغناطیسی تونل زنی در نانو ساختار نامتجانس gaas/ gamnas مبتنی بر نیمرسانای مغناطیسی رقیق در حضور میدان مغناطیسی خارجی و همچنین بایاس اعمالی خارجی به صورت تئوری می پردازد .محاسبات در مدل الکترون تقریبا آزاد (جرم موثر) ودر چهارچوب تئوری ماتری

تونل زنی جوزفسونی از مولکول مغناطیسی ناهمسانگرد

تک مولکول مغناطیسی بستری مناسب برای توسعه ی سیستم های ترابرد اسپینی است. از این رو در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است. تحقیقات انجام شده روی انتقال الکترونیکی و اسپینی از مولکول های مغناطیسی، هنوز در مراحل اولیه است. به علاوه، تنها در سال های اخیر امکان اتصال تک مولکو

اثر ناهمواری در فصل مشترک ها بر مقاومت مغناطیسی تونل زنی (tmr) در fe/mgo/fe

در این رساله، با استفاده از تقریب بستگی قوی تک نواری و رهیافت تابع گرین، اثر ناهمواری بر مقاومت مغناطیسی تونل زنی (tmr) در پیوندگاه های fe/mgo/fe محاسبه شد. پدیده ی tmr در اثر تونل زنی اسپین الکترون در پیوندگاه های مغناطیسی تونل زنی مشاهده می شود. این پیوندگاه ها از لایه های فروم

تونل زنی الکترون با اسپین قطبیده در نانو ساختارهای مغناطیسی در حضور ناکاملی

اثرات لایه های ابررسانا بر ترابرد الکتریکی در اتصالات تونل زنی مغناطیسی

باپیشرفتهایاخیردرتکنولوژینانو،توجهزیادیبهترابردکوانتومیازساختارهایفلزعادیونیمرسانایمتصلبهابررساناشدهاست. اینتوجهبهدلیلکاربردهایممکنچنینساختارهایی درقطعاتالکترونیکیمیباشد. قطعاتالکترونیکیمعمولیبراساسشارشبارالکترون-هاطراحیمیشوند،درحالیکهقطعاتاسپینترونیکیبراساسجهتوتعداداسپین هایعبور

بررسی تحلیلی پدیده تونل زنی اسپین با درنظرگرفتن برانگیختگی‌های دوقطبی در آهن‌ربای تک ملکولی Mn12

پدیده تونل زنی اسپین در آهن‌ ربای تک ملکولی Mn12 با استفاده از روش محاسبه اینستانتونی مطالعه و از حالت‌ همدوس در پارامتر حقیقی در گروه SU(2) به عنوان تابع اولیه استفاده شده است. برای این آهن‌ ربای تک ملکولی، شکافتگی ترازهای انرژی حاصل شده ( پله های حلقه پسماند مغناطیسی ) مربوط به

بررسی تحلیلی پدیده تونل زنی اسپین با در نظر گرفتن برانگیختگی‌های چهار قطبی در آهنربای تک مولکولی f‌e8

پدیده تونل زنی اسپین در آهنربای تک مولکولی Fe8با استفاده از روش محاسبه اینستانتونی مطالعه شده است. در این مطالعه از حالت‌همدوس در پارامتر حقیقی در گروه (3)SU به عنوان تابع اولیه استفاده شده است. برای این آهنربای تک مولکولی، شکافتگی ترازهای انرژی حاصل شده مربوط به جمله‌ای در کنش ک

اثرات ناهمواری فصل مشترک بر روی ضریب عبوردهی در دیودهای تونل زنی تشدیدی مغناطیسی

در این مقاله اثر ناهمواری فصل مشترک بر روی عبوردهی الکتریکی وابسته به اسپین در یک اتصال تونل­زنی مغناطیسی بررسی می­شود. در محاسبات از روش ماتریس انتقال و تقریب جرم مؤثر برای محاسبۀ احتمال عبور استفاده شده است. ساختار مغناطیسی دو سدی مذکور شامل دو نیم رسانای فرومغناطیسی جدا شده­ ب

محاسبه رسانندگی و زمان مشخصه تونل زنی الکترون از پیوندگاه فلز – مولکول (پلی استیلن) در یک سیم مولکولی

در این مقاله در چارچوب مدل بستگی قوی و یک روش تابع گرین تعمیم یافته و همچنین استفاده از الگوریتم lanczos آثار مربوط به قدرت پیوند گاه فلز - مولکول (mmc) بر گسیل الکترون از طریق یک سیستم فلز - تک مولکول - فلز (mmm) بررسی می شود. با کاربرد روش لانداور (landauer) برخی از خواص رسانند

مقایسۀ روش گرادیان افقی سیگنال تحلیلی و روش ترکیبی سیگنال تحلیلی- واهمامیخت اویلر با استفاده از داده‎های مصنوعی در تفسیر ساختارهای زمین‎شناسی با خاصیت مغناطیسی

این تحقیق به معرفی و مقایس? روش گرادیان افقی سیگنال تحلیلی و روش ترکیبی سیگنال تحلیلی- واهمامیخت اویلر برپای? روش سیگنال تحلیلی، در تفسیر داده‎های مغناطیسی می‎پردازد. هر دو روش بدون نیاز به اطلاعات اولیه از پارامترهای چشمه ایجاد بی‎هنجاری مغناطیسی، برآورد مناسبی از موقعیت و شکل چ