ابررسانایی در سیم های نانو در حضور میدان مغناطیسی
چکیده
چکیده‌ای برای این سند ثبت نشده است.
پایان‌نامه‌های مشابه
بررسی رسانش وابسته به اسپین در نانو سیم های کوانتومی در حضور میدان مغناطیسی
از زمان کشف پدیده هایی مانند مقاومت مغناطیسی بزرگ و مقاومت مغناطیسی تونل زنی در چند لایه های مغناطیسی، تحقیقات وسیعی بر روی مواد مغناطیسی و لایه های نازک مغناطیسی انجام شده است. تلاش فیزیکدان ها در این زمینه باعث ساختن نانو ساختارها و چند لایه های مغناطیسی و به کار بردن آن ها در
بررسی خواص الکترونی و مغناطیسی نانو حلقه گرافینی در حضور میدان مغناطیسی خارجی
در این تحقیق خواص الکترونی و مغناطیسی نانو ساختارهای گرافینی مورد بررسی قرار گرفته است. ویژگی¬های منحصر به فرد گرافین باعث شده است برای کاربرد¬های الکترونی در مقیاس نانو بسیار مورد توجه باشد. با این وجود، مشکل اصلی کاربرد گرافین در ادوات الکترونیکی، نبود گاف در طیف انرژی آن است.
بررسی ترازهای انرژی الکترون در سیم کوانتومی مستطیلی در حضور میدان مغناطیسی
با توجه به اهمیت روز افزون مطالعه ی سیمهای کوانتومی بخاطر خواص ذاتی جالب انهاو نقش مهمی که در ابزارهای میکرو الکترونیک و الکترون اپتیکی دارند ونیز بعلت اینکه خواص فیزیکی سیمها تحت اعمال میدان مغناطیسی خارجی قابل کنترل است ترازهای انرژی الکترون در حضور میدان مغناطیسی بررسی شده است
تأثیر تغییر مکان یک ناخالصی بر ترابرد الکترونی یک نانو حلقه در حضور میدان مغناطیسی
از پدیده های جالبی که در الکترونیک مولکولی مورد بررسی قرار می گیرد، اثر میدان مغناطیسی در سامانه های شامل مولکول های حلقوی است. از جمله این سامانه ها مولکول فولرن و حلقه پلی استیلن است. با استفاده از روش هایی مانند تغییر محل اتصال هادی های ورودی و خروجی، اعمال میدان خارجی، تزریق
بررسی عددی تولید آنتروپی یک نانو سیال هوشمند در میان دو صفحه تخت موازی در حضور میدان مغناطیسی
در این پایان نامه انتقال حرارت جابجابی اجباری فروسیال آب-مگنتیت با قطر نانوذرات مغناطیسی 10 نانومتر تحت تاثیر میدان مغناطیسی دوبعدی اعمال شده توسط یک دوقطبی خطی به فاصله 1 میلی متر زیر دیواره پایینی بین دو صفحه موازی پرداخته شده است. هدف، مطالعه اثر ابعاد هندسی، عدد رینولدز، جابج
بررسی تجربی انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال مغناطیسی اتیلن گلیکول/fe3o4 در حضور میدان مغناطیسی
بیشتر مطالعات تجربی و تئوری صورت گرفته در زمینه بررسی اثر میدان های مغناطیسی بر فرآیند انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال های مغناطیسی محدود به بررسی جابجایی آزاد در یک محفظه بسته است که فرآیند انتقال حرارت به دلیل اختلاف دما میان دیواره های آن اتفاق می افتد، در صورتی که در بسیار
اسناد مشابه
لایه نشانی نانو سیم های مغناطیسی با روش لانگمور-بلاجت و در حضور میدان مغناطیسی خارجی
چینش و هم‌آرایی کنترل‌شده نانوسیم‌ها در توسعه و گسترش کاربرد آنها در اپتوالکترونیک، نانوالکترونیک، حسگرها و ادوات اسپینترونیک نقش بسیار مهمی دارد. چینش نانوساختارهای یک‌بعدی با استفاده از روش‌های مختلفی مانند دستکاری‌نوری، میکروسیالات، میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی انجام‌شده‌است.
بررسی عددی مبدل حرارتی دو لوله ای با نانو سیال داخل لوله شیاردار مارپیچی در حضور میدان مغناطیسی
در پژوهش پیش رو نوع خاصی از مبدل های حرارتی دو لوله ای هم مرکز مورد تحلیل واقع شده که لوله داخلی مبدل بصورت شیاردار در نظر گرفته شده است. از جریان آشفته نانو سیال آب-اکسید آلومینیوم در هر دو سمت مبدل استفاده شده و میدان مغناطیسی با شدت ثابت برای تقویت اثر استفاده از نانوسیال به ک
بررسی تجربی ویسکوزیته نانو سیال رسانا در حضور و عدم حضور میدان مغناطیسی
ویسکوزیته نانوسیال مغناطیسی اتیلن گلایکول- Fe4O3 تحت میدان مغناطیسی ثابت، موازی و در جهت جریان نانوسیال به طور آزمایشگاهی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد با افزایش شدت میدان مغناطیسی ویسکوزیته نانوسیال کاهش مییابد. همچنین آزمایشات نشان داد افزایش زمان قرارگیری نانوسیال در م
افزایش خواص مغناطیسی نانوکامپوزیت PEO/Fe3O4 سنتز شده به روش هم رسوبی در حضور میدان مغناطیسی خارجی
نانوکامپوزیت‌های پلی اتیلن اکسید مغناطیسیPEO/Fe3O4 به روش هم‌رسوبی در حضور یک میدان مغناطیسی خارجی 0.4 تسلا سنتز شد و اثر میدان مغناطیسی خارجی در سنتز نمونه مورد بررسی قرار گرفت. نانوکامپوزیت های سنتز شده در حضور میدان به کمک آنالیزهای VSM، XRD وSEM مشخصه یابی شده است. نتایج آنال
حل تشابهی انتروپی تولیدی جریان نانو سیال سیلیکا- آلومینیوم هیبرید برای نقطه سکون همرفت مخلوط (ترکیبی) روی یک صفحه متخلخل در حضور میدان مغناطیسی: یک مدل ساده جهت خنک‌کاری سطوح
در این تحقیق، انتروپی تولیدی توسط یک نانوسیال در جریان لایه مرزی دو بعدی و دائمی، روی صفحه تخت متخلخل عمودی، به‌همراه میدان مغناطیسی بررسی شد. معادلات حاکم به روش تشابهی به معادلات دیفرانسیل معمولی غیر خطی تبدیل و با روش رانج کوتا حل گردید. در این تحقیق به بررسی تأثیر متغیرهای ش
شبیه سازی ریخته‌گری تبرید مستقیم در حضور میدان مغناطیسی با فرکانس پایین به منظور تولید بیلت‌های آلیاژ آلومینیوم 7075
ریخته‌گری تبرید مستقیم یک روش مناسب برای تولید بیلت‌های آلومینیومی با قطر بالا است. در این روش آلومینیوم مذاب در یک قالب ریخته می‌شود و قالب به‌صورت آبگرد خنک می‌شود. باوجود بهبودهای حاصل‌شده در فرایند ریخته‌گری، همچنان عیوب ناخواسته‌ای در حین تولید محصول پدیدار می‌شود. برای مقاب