با توجه به اهمیت روز افزون مطالعه ی سیمهای کوانتومی بخاطر خواص ذاتی جالب انهاو نقش مهمی که در ابزارهای میکرو الکترونیک و الکترون اپتیکی دارند ونیز بعلت اینکه خواص فیزیکی سیمها تحت اعمال میدان مغناطیسی خارجی قابل کنترل است ترازهای انرژی الکترون در حضور میدان مغناطیسی بررسی شده است
از زمان کشف پدیده هایی مانند مقاومت مغناطیسی بزرگ و مقاومت مغناطیسی تونل زنی در چند لایه های مغناطیسی، تحقیقات وسیعی بر روی مواد مغناطیسی و لایه های نازک مغناطیسی انجام شده است. تلاش فیزیکدان ها در این زمینه باعث ساختن نانو ساختارها و چند لایه های مغناطیسی و به کار بردن آن ها در
آزمایش های زیادی با استفاده از سالیتون ها در کاربردهای فیبر نوری انجام شده است. پایداری ذاتی سالیتون ها امکان ارسال به فواصل طولانی را بدون استفاده از تقویت کننده ها مقدور می سازد. در این پایان نامه، امواج سالیتونی یون- صوتی در پلاسمای گرم و پلاسمای کوانتومی مغناطیسی مورد بررسی ق
در این رساله به مطالعه رفتار چاه کوانتمی پهن در حضور میدان الکتریکی و مغناطیسی عمود بر سطح دستگاه، به طور جداگانه و همزمان در تقریب موضعی چگالی می پردازیم. در محدوده چگالی های 1 - 3 x 1011 cm-2، در چاه کوانتمی پهن گاز الکترونی دو لایه ای بوجود می آید که در میدان الکتریکی صفر، چگا
ساختارهای کوانتومی، ساختارهایی هستند که حرکت حاملهای بار در آنها در یک، دو یا سه راستای فضایی محدود میباشد. این محدودیت فضایی، سبب کوانتیدگی ترازهای انرژی الکترونها شده و خصوصیات فیزیکی این سیستمها را تغییر میدهد. بررسی خواص نوری ساختارهای کوانتومی به علت کاربرد وسیع آنها در ساخت
در اینجا ما حالات همدوس دو متغیره با کمینه عدم قطعیت را با سه روش مختلف معرفی کرده ایم: نمایش های یکانی نامعین در دو روش مختلف محقق می شود. اولی بوسیله ترازهای متوالی با اختلاف انرژی یکسان و عدد کوانتومی متناظر با تکانه زاویه ای z یکسان، سپس با شیفت مد تکانه زاویه ای z به اندازه
در این تحقیق به بررسی تأثیر میدان مغناطیسی بر ترازهای انرژی در نقطه کوانتومی و پادنقطه کوانتومی می‌پردازیم. محاسبات عددی که با استفاده از روش تفاضل محدود انجام گرفته است، نشان می‌دهند که تأثیر میدان مغناطیسی بر ترازهای انرژی نقطه و پادنقطه کوانتومی کاملاً متفاوت است. همچنین در اد
در این مقاله ابتدا بر اساس نظریه اختلال ویژه مقدارهای انرژی پاد نقطه‌های کوانتومی دو، سه و چهار لایه به دست آورده می‌شوند و سپس با استفاده از محاسبات عددی تأثیرات میدان مغناطیسی، شعاع و تعداد لایه‌های این نانوساختارها را بر ترازهای انرژی و مورد مطالعه قرار می‌دهیم. نتایج این تحق
اشتعال سریع یکی از روش های همجوشی لختی icf)) است که درآن مراحل تراکم و اشتعال از یکدیگرجدا شده است. دراین روش انرژی دهی در دو مرحله صورت می گیرد. اول فرآیند فشرده سازی ساچمه های دوتریوم-تریتیم (d-t) توسط لیزر و پرتوهای یونی(مرحله تراکم)، دوم باریکه پرتو پر انرژی از یک نقطه برای ا
در این مقاله تأثیر تکانه اولیه و زاویه تزریق الکترونها به داخل پلاسمای مغناطیده در یک شتابدهنده میدان عقبه لیزری مورد مطالعه قرار گرفته است. دیده شد که استفاده از میدان مغناطیسی خارجی در خلاف جهت انتشار پالس لیزری منجر به افزایش دامنه میدان عقبه و کاهش سرعت گروه پالس لیزری در م
چینش و هم‌آرایی کنترل‌شده نانوسیم‌ها در توسعه و گسترش کاربرد آنها در اپتوالکترونیک، نانوالکترونیک، حسگرها و ادوات اسپینترونیک نقش بسیار مهمی دارد. چینش نانوساختارهای یک‌بعدی با استفاده از روش‌های مختلفی مانند دستکاری‌نوری، میکروسیالات، میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی انجام‌شده‌است.
در این مقاله، رسانش و قطبش وابسته به اسپین را در یک حلقه گرافینی هگزاگونال (HGR) متصل به سه رابط نیمه بی نهایت و در حضور شار مغناطیسی عمودی و برهمکنش اسپین-مدار راشبا (RSOI) به صورت نظری مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج با استفاده از مدل تنگ بست از طریق فرمالیسم تابع گرین غیر تعاد