بررسی پخت لایه نازک cdte در دماهای مختلف تهیه شده به روش افشان پیرولیز و شناسایی تغییرات در ساختار شیمیایی بلورشناسی و دانه بندی نانوبلورها، طیف uv-vis و ضخامت لایه در اثر پخت

تهیه لایه نازک قلع سولفید (sns) به روش حمام شیمیایی و پخت آن برای تبدیل به نانوبلور دی اکسید قلع (sno2) شفاف

تهیه، شناسایی و بررسی خواص نوری و فتوکاتالیستی فیلم های لایه نازک نانو ساختار روی اکسید، دوپ شده و فرونشانی شده فتوشیمیایی با نانو ذرات نقره، بر روی بستر شیشه ای به روش سل-ژل

در این پژوهش فیلم های لایه نازک نانو ساختار روی اکسید حاوی نقره و روی اکسید فرونشانی فتوشیمیایی شده با نانو ذرات نقره روی بستر شیشه ای بوسیله فرایند سل-ژل و با استفاده از تکنیک های پوشش دهی چرخشی و غوطه وری تهیه شدند. برای تهیه سل روی اکسید حاوی نقره، از ترکیب سل روی اکسید و محلو

تهیه، شناسایی و بررسی خواص نوری و فوتوکاتالیزوری لایه نازک روی اکسید نانوساختار بر روی بستر شیشه ای به روش سل-ژل

بررسی ترابرد الکترونی لایه های نازک اکسید روی تهیه شده به روش سل - ژل با غلظت 9/0 مول در لیتر و باز پخت شده در دمای 500 درجه سانتیگراد در محدوده ی دمایی (400-100) درجه کلوین

اکسید روی یک نیمه رسانای نوع n با گاف انرژی پهن می باشد، به همین علت به عنوان یک ماده مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مانند رساناهای شفاف ، حسگرهای گازی، واریستورها، دستگاههای موج اکوستیکی سطحی (saw)، همچنین در ساخت سلولهای خورشیدی نیز به کار می رود. روشهایی متع

اثر پرتو گاما بر روی خواص لایه نازک CdS تهیه شده در سه ضخامت مختلف با روش CBD

در این پژوهش، لایه‌های نازک نانوساختاری CdS با سه ضخامت مختلف (حدود 88، 140 و 211 نانومتر) به روش حمام شیمیایی تهیه و اثر تابش گاما بر خواص ساختاری و اپتیکی آن‌ها بررسی شد. تصاویر SEM نشان دادند که لایه‌ها سطحی یکنواخت با نانوذرات کروی و توزیع همگن دارند و تابش گاما موجب تغییر شک

تاثیر دمای حمام شیمیائی بر تغییرات نانو ساختار لایه نازک CdS تهیه شده به روش نشست شیمیایی در حمام

عوامل موثر در تهیه لایه های نازک نیمه هادی P/CdTe به روش تبخیر در خلاء

لایه های نازک نیمه هادی تلورید کادمیوم به روش تبخیر در خلاء بر روی زیر لایه های نیکل