تهیه و بررسی ساختاری و توان ترموالکتریک لایه های نازک تهیه شده از نانو ذرات bi2te3 بوسیله روش تبخیر حرارتی
چکیده
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
در این کار، لایه های نازک نانو کریستالی روی سولفید آلاییده شده با نیکل به روش انباشت شیمیایی در محلول اسیدی ضعیف (6=ph) که شامل نمک اتیلن دی آمین تترا استیک اسید به عنوان عامل کمپلکس ساز و تیواستامید به عنوان منبعی از یون های سولفید است تهیه شده اند. اثر ضخامت، غلظت نیکل آلاییده
در این تحقیق، لایه های نازک sno2:bi و sno2-fe2o3:bi به روش اسپری پایرولیزیز بر روی بسترهای شیشه ای تهیه شده است. برای تهیه محلول اولیه از کلرید قلع 5 آبه، آب و اتانول (1:1:1) استفاده شد و تاثیر تراکم ناخالصی آهن و تغییرات تراکم بیسموت بر روی خواص ساختاری، الکتریکی، ترموالکتریکی،
در این تحقیق، لایه های نازک اکسید قلع آلاییده با وانادیوم (sno2:v) به روش اسپری پایرولیزیز بر روی زیرلایههای شیشه ای تهیه شده است. تاثیر ناخالصی وانادیوم بر روی خواص ساختاری، الکتریکی، ترموالکتریکی، اپتیکی و فوتورسانایی لایه های نازک sno 2 بررسی شد. نسبت های اتمی وانادیوم به قلع
تاثیر کاتالیزگرهای ناهمگن در واکنش های شیمی آلی با بکارگیری کاتالیزگر در اندازه ی نانو بسیار بهبود می یابد زیرا نسبت سطح به حجم در این ترکیب ها بالا می باشد. سامانه های کاتالیزگری همگن دارای مزایایی مثل گزینش پذیری و فعالیت بالا هستند اما جداسازی و استفاده مجدد از کاتالیزگر کاری
در این پژوهش فیلم های لایه نازک نانو ساختار روی اکسید حاوی نقره و روی اکسید فرونشانی فتوشیمیایی شده با نانو ذرات نقره روی بستر شیشه ای بوسیله فرایند سل-ژل و با استفاده از تکنیک های پوشش دهی چرخشی و غوطه وری تهیه شدند. برای تهیه سل روی اکسید حاوی نقره، از ترکیب سل روی اکسید و محلو
با توجه به اهمیت تهیه لایههای نازک نانوساختار نیمه هادیهای نوری گروه II-VI از طریق روشهای ارزان و ساده شیمیایی، در کار پژوهشی حاضر ضمن استفاده از روش لایه نشانی شیمیایی CBD، در راستای کنترل رشد چنین لایههایی، تاثیر غلظت عامل کمپلکسساز نمک آمونیوم بر خواص ساختاری و نوری لای
اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه نشانی به روش سل – ژل، پوشش های
در این پژوهش، لایه نازک دی اکسید تیتانیوم آلاییده شده با وانادیوم با غلظتهای مختلف ( 5/1،0 و 5 درصد وزنی) به روش سل-ژل بر روی زیرلایههای شیشهای رسوب داده شد. خواص ساختاری، آنالیز عنصری، الکتریکی، اپتیکی و زبری سطح لایههای نازک به ترتیب توسط روشهای XRD، DES، LCR meter، طیف سن
در این مقاله نانوذرات دی اکسید تیتانیوم با استفاده از روش سل ژل سنتز شدند. تاثیر زمان ماندگاری سل و همچنین اثر دمای کلسیناسیون بر خواص فیزیکی و ساختاری نانوذرات تهیه شده با استفاده از روشهای آنالیز حرارتی TG/DTA، پراش پرتو ایکس XRD، میکروسکوپ الکترونی عبوری TEM و تحلیل آماری توزی
در این کار تجربی لایه های نازک اکسید ایندیم آلاییده با اکسید قلع (ito) با ترکیب های مختلفی از 60 تا wt%95 اکسید ایندیم و 40 تا wt%5 اکسید قلع با استفاده از روش تبخیر با باریکه الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای نهشته شدند. لایه ها پس از نهشت، به مدت 3 ساعت در هوا در دمای cْ450 ت
نانو ذرات siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه p-si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند د