مطالعه ترکیب درصد شیمیایی، ساختار و مورفولوژی لایه های نازک نانو بلور روی سولفید تهیه شده به روش انباشت شیمیایی برای تعیین مکانیسم رشد لایه

بررسی خواص نوری، ساختاری و مورفولوژیکی لایه های نازک نانو کریستال روی سولفید آلاییده شده با نیکل انباشت شده به روش شیمیایی

در این کار، لایه های نازک نانو کریستالی روی سولفید آلاییده شده با نیکل به روش انباشت شیمیایی در محلول اسیدی ضعیف (6=ph) که شامل نمک اتیلن دی آمین تترا استیک اسید به عنوان عامل کمپلکس ساز و تیواستامید به عنوان منبعی از یون های سولفید است تهیه شده اند. اثر ضخامت، غلظت نیکل آلاییده

تهیه فیلم لایه نازک نانو ساختار اکسیدروی و اکسیدروی/نقره بر روی شیشه و بررسی خواص شیمی فیزیکی و بیولوژیکی آنها

در این پروژه فیلم لایه نازک نانو ساختار اکسید روی و هیدروکسید روی بر روی اسلاید شیشه ای تحت تابش دهی مایکروویو به عنوان یک روش ساده و سریع تهیه شده است. همچنین به منظور بررسی اثر نقره بر روی خصوصیات فیزیکی و بیولوژیکی فیلم ها، فیلم اکسید روی/نقره و هیدروکسید روی/نقره بر روی اسلای

تهیه، شناسایی و بررسی خواص نوری و فتوکاتالیستی فیلم های لایه نازک نانو ساختار روی اکسید، دوپ شده و فرونشانی شده فتوشیمیایی با نانو ذرات نقره، بر روی بستر شیشه ای به روش سل-ژل

در این پژوهش فیلم های لایه نازک نانو ساختار روی اکسید حاوی نقره و روی اکسید فرونشانی فتوشیمیایی شده با نانو ذرات نقره روی بستر شیشه ای بوسیله فرایند سل-ژل و با استفاده از تکنیک های پوشش دهی چرخشی و غوطه وری تهیه شدند. برای تهیه سل روی اکسید حاوی نقره، از ترکیب سل روی اکسید و محلو

بررسی خواص سطحی و اپتیکی لایه نازک نانو دی اکسیدتیتانیوم تهیه شده بر روی پلی کربنات در دمای پایین با استفاده از روش سل - ژل

در سال های اخیر دی اکسیدتیتانیوم به دلیل کاربردهای وسیعی در قسمت های مختلف از جمله الکترونیک نوری، فعالیت های فوتوکاتالیستی، سلول های خورشیدی، کاربردهای الکتروکرومیک، ذخیره سازی هیدروژن و سنسورهای گازی مورد توجه قرار گرفته است. در این پایان نامه لایه های نازک نانو دی اکسیدتیتانیو

لایه نشانی و مطالعه خواص لایه نازک نانو ساختار آلومینیوم اکسی نیترید(alon) تهیه شده به روش کندو پاش مغناطیسی

در این تحقیق ،لایه های نازک آلومینیوم اکسی نیترید بر روی زیر لایه هایی از جنس bk7 به روش کندوپاش مغناطیسی جریان متناوب انباشته شده اند. هدف از این مطالعات بررسی اثر نسبت گاز نیتروژن ، به عنوان گاز واکنشی و تاثیر دمای زیرآیند بر خواص اپتیکی، سختی، مرفولوژی سطح, آستانه تخریب لایه و

بررسی پخت لایه نازک cdte در دماهای مختلف تهیه شده به روش افشان پیرولیز و شناسایی تغییرات در ساختار شیمیایی بلورشناسی و دانه بندی نانوبلورها، طیف uv-vis و ضخامت لایه در اثر پخت

لایه‌نشانی، مشخصه‌یابی و بررسی خواص الکتریکی نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی آلاییده شده با منیزیم تهیه شده به روش سل – ژل

اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه ‌رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه ‌نشانی به روش سل – ژل، پوشش ‌های

تأثیر اتمسفر فرآیند پخت روی خواص الکتریکی و نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم

در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (atzo) به روش سل ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (xrd)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fe-sem) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (edx) انجام

تأثیر اتمسفر فرآیند پخت روی خواص الکتریکی و نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم

در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (ATZO) به روش سل‌ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (XRD)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FE-SEM) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (EDX) انجام

بررسی اثر غلظت وانادیوم بر خواص اپتیکی و الکتریکی لایه نازک نانو ساختار دی اکسید تیتانیوم تهیه شده به روش سل – ژل

در این پژوهش، لایه نازک دی اکسید تیتانیوم آلاییده شده با وانادیوم با غلظت­های مختلف ( 5/1،0 و 5 درصد وزنی) به روش سل-ژل بر روی زیرلایه­های شیشه­ای رسوب داده شد. خواص ساختاری، آنالیز عنصری، الکتریکی، اپتیکی و زبری سطح لایه­های نازک به ترتیب توسط روش­های XRD، DES، LCR meter، طیف سن

تأثیر غلظت عامل کمپلکس‌ساز نمک آمونیم بر خواص ساختاری و نوری لایه نازک نانوساختار سولفید کادمیم تهیه شده به روش نشست شیمیایی

با توجه به اهمیت تهیه لایه‌های نازک نانوساختار نیمه ‌‌هادی‌های نوری گروه II-VI از طریق روش‌های ارزان و ساده شیمیایی، در کار پژوهشی حاضر ضمن استفاده از روش لایه نشانی شیمیایی CBD، در راستای کنترل رشد چنین لایه‌هایی، تاثیر غلظت عامل کمپلکس‌ساز نمک آمونیوم بر خواص ساختاری و نوری لای

تهیه لایه نازک سولفید روی دوپ شده با نقره به روش کندوپاش مغناطیسی فرکانس رادیویی

در این تحقیق، لایههای نازکی از سولفید روی دوپ شده با نقره (ZnS:Ag) با استفاده از روش کندوپاش مغناطیسی فرکانس رادیویی (RF) بر روی زیرلایههای شیشه لایه نشانی شدند. برای حصول لایه نازک بهینه، فشارهای کاری مختلف در محدود torr 3-10×5/1 تا torr 1-10×1 مورد بررسی قرار گرفتند. لایههای نا