بررسی تحرک پذیری الکترونها در نیمرسانای aip در حد میدانهای الکتریکی ضعیف

تحرک پذیری الکترونها در نیمرسانای te cd0.2 hg0.8 در میدانهای الکتریکی ضعیف

با حل مستقیم معادله ترابردی بولتزمن به روش تکرار، بستگی تحرک پذیری به دما و چگالی الکترونها در نیمرسانای te cd0.2 hg0.8 محاسبه و با دو نیمرسانای cdteو hgte مقایسه شده است. در محاسبه تحرک پذیری، پراکندگی از فونون های آکوستیکی، پیزوالکتریک، اتم های ناخالصی یونیده و فونون های اپتیکی

بررسی تحرک پذیری الکترونها در نیمرسانای sic در حد میدانهای الکتریکی ضعیف

بررسی تحرک پذیری الکترونها در نِمرسانای gasb در حد میدانهای الکتریکی ضعیف

بررسی خواص ترابردی الکترونها در نیمرسانای inp در میدانهای الکتریکی ضعیف

مقایسه خواص ترابرد الکترونی در دو ماده نیمرسانا inn , aln در حضور میدانهای الکتریکی ضعیف

در این پایان نامه مسئله ترابرد الکترون ها در دو نیمرسانایinn وaln درحضور میدان های الکتریکی ضعیف با استفاده از حل معادله بولتزمن به روش برگشت پذیر مورد بررسی قرارگرفته است . نتایج این مطالعه نشان می دهد که درمیدان های الکتریکی ضعیف ( v/cm 104 ) ، تنها الکترون های واقع در دره مرکز

مقایسه خواص ترابردی الکترونها در نیمرساناهای zns و znse در میدان های الکتریکی ضعیف

مطالعه تحرک پذیری حاملین بار در نیمرسانای گالیوم آرسناید آلاییده با Cr و Co مورد استفاده در سلول های خورشیدی شاتلهای فضایی

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص تر

مطالعه تحرک پذیری حاملین بار در نیمرسانای گالیوم آرسناید آلاییده با cr و co مورد استفاده در سلول های خورشیدی شاتلهای فضایی

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های iii-v جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم ev 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص تر

تأثیر دمای بازپخت بر تحرک پذیری و مشخصه های الکتریکی گیت دی الکتریک NiO/PVC

در ترانزیستورهای اثر میدانی ضخامت گیت دی‌الکتریک اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. بنابراین کاهش ضخامت گیت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی، سبب افزایش جریان تونلی و نشتی می‌شود. یکی از گزینه‌های مطلوب به عنوان گیت دی‌الکتریک، نانو کامپوزیت‌های هیبریدی هستند که ثابت دی الکتریک بالا