تحرک پذیری الکترونها در نیمرسانای te cd0.2 hg0.8 در میدانهای الکتریکی ضعیف
چکیده
با حل مستقیم معادله ترابردی بولتزمن به روش تکرار، بستگی تحرک پذیری به دما و چگالی الکترونها در نیمرسانای te cd0.2 hg0.8 محاسبه و با دو نیمرسانای cdteو hgte مقایسه شده است. در محاسبه تحرک پذیری، پراکندگی از فونون های آکوستیکی، پیزوالکتریک، اتم های ناخالصی یونیده و فونون های اپتیکی قطبی برای یک نوار رسانش غیر سهموی با توابع موج ترکیبی در نظر گرفته شده است. نتایج محاسبات با داده های تجربی و محاسبه با تقریب زمان واهلش که در مقالات منتشر شده، مقایسه شده است که توافق خوبی بین نظریه و تجربه را نشان می دهد