ترابرد اسپینی از سیم کوانتومی gaas/gamnas
چکیده
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
مطالعه ترابرد الکترونی در اتصال های نقطه ای کوانتومی خواص مهم و جالبی دارد که توجه زیادی را به صورت نظری و تجربی به خود جلب کرده است. نظریه ترابرد الکترونی در اتصال های نقطه ای کوانتومی غیر مغناطیسی قبلا مورد بررسی قرار گرفته بود. در این پایان نامه ما با وارد کردن درجه آزادی اسپی
ترابرد وابسته به اسپین در سیم های کوانتومی که قدرت برهمکنش اسپین-مدار راشبا در داخل آنها بصورت تناوبی و شبه تناوبی با ترتیب فیبوناچی تغییر می کند، با استفاده از روش ماتریس انتقال بطور نظری مورد بررسی قرار گرفته است. تاثیر تعداد واحدهای سازنده سیم، طول واحدهای سازنده، قدرت
دراین پایان نامه اثرات پراکندگی وابسته به اسپین و درهم تنیدگی الکترون ها را بر روی خواص ترابرد الکتریکی مانند جریان، رسانش الکتریکی، عامل فانو، نوفه شلیکی و درجه درهم تنیدگی در سیستم های مزوسکوپیکی مانند سیم های کوانتمی متصل به دو الکترود نیمه بی نهایت ایده ال بررسی می کنیم. محاس
کاربردهای روز افزون نانو سیم ها درصنایع اپتو الکترونیک جهت ساخت لیزرهای نیمه هادی ، حسگرهـای فوق العاده سریع ، ساخت موادی پایـدار با خواص فیـزیکی و شیمیـایی ویژه ، جهت جوابگویـی روزافزون بـه صنعت در حوزه های گوناگون ما را بر آن می دارد تا به دنبال دیدگاه و نظریه جامع نظری در این
چکیده در این پایان نامه، ترابرد الکترونی و مقاومت مغناطیسی در یک اتصال مبتنی بر گرافین فرومغناطیس/ نرمال/ فرومغناطیس بررسی می شود. برای محاسبه خواص ترابردی، به محاسبه ضریب عبور نیاز داریم. برای محاسبه ضریب عبور از روش تابع گرین استفاده می کنیم. برای به دست آوردن تابع گرین با استف
ساختارهای کوانتومی، ساختارهایی می¬باشند که در آنها الکترون¬ها و حفره¬ها در اندازه¬های کوانتومی جایگزیده شده¬اند. خواص الکترونی و نوری این مواد به مقدار قابل توجهی با خواص آنها در حالات کپه¬ای متفاوت است. در این ساختارهای خیلی کوچک توابع موج در ناحیه کوچکی از فضا محبوس بوده که این
در این تحقیق بر اساس تکنیک تابع گرین برخی خواص ترابرد اسپینی یک ساختار حلقوی متشکل از سه نقطه کوانتمی مورد توجه قرار گرفته است. در این ساختار، یکی از نقاط کوانتومی غیر مغناطیسی در نظر گرفته می شود و برهم کنش اسپین- مدار راشبا روی این نقطه کوانتومی اعمال می شود، درحالیکه دیگر نقاط
در این مقاله، با استفاده از رهیافت تابع گرین خواص ترابرد الکتریکی یک ساختار متجانس شبه یک بعدی مبتنی بر (مانند سیم کوانتومی) در حضور برهمکنش الکترون- فونون به طور نظری مطالعه میشود. برای این منظور، ساختار مورد نظر با طول محدود را بین دو الکترود نیمبینهایت فلزی در نظر میگیریم. با
مقدمه: ایجاد جریانهای اسپینی بهوسیلۀ اعمال گرادیان دما توجه دانشمندان زیادی را بهخود جلب کرده است. زمینۀ اسپینترونیک از اسپینالکترون برای ذخیره و پردازش اطلاعات استفاده میکند و اسپینکالریترونیک، جریانهای اسپینی را به حرارت مرتبط میسازد. ما از DNA بهعنوان مولکولی آلی برای بر
در این تحقیق خواص ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در نانو ساختار مولکولی از طریق یک پل مولکولی نامتجانس فولرن و مولکول پنتاسن به عنوان پذیرنده و دهندۀ الکترون، جفت شده با دو الکترود نیمه نهایی مس، مورد بررسی قرار گرفته است. برای این منظور، هامیلتونی وابسته به اسپین، برای تک نوار
GaAs/GaMnAs core-shell nanowires were grown by molecular beam epitaxy. The core GaAs nanowires were synthesized under typical nanowire growth conditions using gold as catalyst. For the GaMnAs shell the temperature was drastically reduced to achieve low-temperature growth conditio
ساختارهای کوانتومی به عنوان منبع پیشرفته نیمهادی در تولید نور میباشد و بررسی خصوصیات الکترونی و الکترواپتیکی آنها از اهمیت ویژه ای برخوردار است. سیستمها و منابع نور تک فوتونی یکی از اجزای اصلی طراحی سیستمهای فوتونیک کوانتومی هستند و تلاشهای زیادی برای تحقیق بر روی چنین منابع