پایان‌نامه

بررسی خواص ظرفیت دی الکتریک نانوساختار سیلیکان متخلخل

مطهره عین اله زاده صمدی

چکیده

تخلخل هایی با قطر نانومتری با روش الکتروشیمیایی و با استفاده از محلول الکترولیت اتانول و اسید بر روی پایه های سیلیکان نوع ایجاد گردید. با استفاده از اندازه گیری درصد تخلخل و نیز محاسبه ظرفیت دی الکتریک، رابطه بین این دو پارامتر در نانو ساختارهای سیلیکان متخلخل بررسی گردید. در این مطالعه مشخص شد که افزایش زمان خوردگی موجب افزایش درصد تخلخل شده که کاهش ظرفیت دی الکتریک سیلیکان متخلخل را سبب می شود. همچنین با اندازه گیری تغییرات ظرفیت دی الکتریک سیلیکان متخلخل بر حسب فرکانس، تغییرات برخی پارامترهای مهم از قبیل ضریب گذردهی، رسانندگی الکتریکی ،ضریب شکست و درصد تخلخل برحسب فرکانس اعمال شده بر این ماده در مدار طراحی شده بررسی شدند. در این بررسی ها مشخص شد که عوامل زیادی بر رفتارهای دی الکتریکی سیلیکان متخلخل تأثیر می گذارند که یکی از مهم ترین و مؤثر ترین این عوامل به ساختار هندسه فراکتالی این ماده بر می گردد.

اساتید راهنما و مشاور

رضا ثابت داریانی، عبداله مرتضی علی

پایان‌نامه‌های مشابه

اسناد مشابه

  • بررسی وابستگی میکروساختارهای سطحی سیلیکان متخلخل و خواص اپتیکی آن

    مقالهپژوهش فیزیک ایرانسعیده رمضانی ثانی، saeideh rhramezani sani physics department, al-zahra university, tehran, iranگروه فیزیک، دانشگاه الزهرا، تهران عبدالله مرتضی علی، abdollah morteza ali physics department, al-zahra university, tehran, iranگروه فیزیک، دانشگاه الزهرا، تهران

    در این مقاله اثر افزایش تخلخل و تغییرات میکروساختاری سطحی بر روی خواص اپتیکی و دی الکتریکی سیلیکان متخلخل بررسی شده است. تخلخل به عنوان یک ناهمواری سطحی در ابعاد میکرونی یا کوچکتر, که اثرات کوانتومی در فرایند جذب و انعکاس از سیلیکان متخلخل را نشان می دهد و نسبت به خواص اپتیکی سیل

  • بررسی وابستگی میکروساختارهای سطحی سیلیکان متخلخل و خواص اپتیکی آن

    مقاله۲۰۱۹پژوهش فیزیک ایرانسعیده رمضانی ثانی، عبدالله مرتضی علی

    در این مقاله اثر افزایش تخلخل و تغییرات میکروساختاری سطحی بر روی خواص اپتیکی و دی الکتریکی سیلیکان متخلخل بررسی شده است. تخلخل به عنوان یک ناهمواری سطحی در ابعاد میکرونی یا کوچکتر, که اثرات کوانتومی در فرایند جذب و انعکاس از سیلیکان متخلخل را نشان می دهد و نسبت به خواص اپتیکی سیل

  • بررسی خواص پراکندگی سیلیکان متخلخل

    مقالهپژوهش فیزیک ایرانرضا ثابت داریانی، r. sabet-dariani عبدالله مرتضی علی، a. morteza ali & h nurani حکیمه نورانی

    سیلیکان متخلخل (ps) بر اثر آندیزاسیون الکتروشیمیایی روی ویفر سیلیکان به وجود می آید. تاکنون تحقیقات فراوانی درباره چگونگی تشکیل این ماده و خواص نوری آن به ویژه فوتولومینسانس (pl) انجام شده, اما هنوز سازوکار دقیق آنها شناخته نشده است. در این مقاله ابتدا نظریه پراکندگی نور از سطوح

  • بررسی خواص پراکندگی سیلیکان متخلخل

    مقاله۲۰۱۹پژوهش فیزیک ایرانرضا ثابت داریانی، عبدالله مرتضی علی، حکیمه نورانی

    سیلیکان متخلخل (PS) بر اثر آندیزاسیون الکتروشیمیایی روی ویفر سیلیکان به وجود می آید. تاکنون تحقیقات فراوانی درباره چگونگی تشکیل این ماده و خواص نوری آن به ویژه فوتولومینسانس (PL) انجام شده, اما هنوز سازوکار دقیق آنها شناخته نشده است. در این مقاله ابتدا نظریه پراکندگی نور از سطوح

  • همبستگی تخلخل با زبری توسط طیف پراکندگی سطوح نانویی سیلیکان متخلخل

    مقالهپژوهش فیزیک ایرانرضا ثابت داریانی، r dariani department of physics, alzahra university, tehran, iranگروه فیزیک، دانشگاه الزهرا (س)، تهران ستاره ابراهیم نسب، s ebrahimnasab department of physics, alzahra university, tehran, iranگروه فیزیک، دانشگاه الزهرا (س)، تهران

    10 ma/cm2طیف بازتاب، چهار نمونه سیلیکان متخلخل تحت زمانهای خوردگی 2، 6، 10 و 14 دقیقه با چگالی جریاناندازه گیری شد. رفتار طیف بازتاب برای هر چهار نمونهیکسان، اما شدت آنها متفاوت بود و با افزایش زمان، شدت بازتاب، کاهش می یافت. دلیل عدم تغییر در رفتارهای طیف بازتاب ، یکسان بودن غلظ

  • همبستگی تخلخل با زبری توسط طیف پراکندگی سطوح نانویی سیلیکان متخلخل

    مقاله۲۰۱۹پژوهش فیزیک ایرانرضا ثابت داریانی، ستاره ابراهیم نسب

    10 mA/cm2طیف بازتاب، چهار نمونه سیلیکان متخلخل تحت زمانهای خوردگی 2، 6، 10 و 14 دقیقه با چگالی جریاناندازه‌گیری شد. رفتار طیف بازتاب برای هر چهار نمونهیکسان، اما شدت آنها متفاوت بود و با افزایش زمان، شدت بازتاب، کاهش می‌یافت. دلیل عدم تغییر در رفتارهای طیف بازتاب ، یکسان بودن غلظ