بررسی تغییرات تخلخل بر خواص الکتریکی نانوساختار دی اکسید تیتانیوم بر روی سیلیکان متخلخل
چکیده
در این پایان نامه، سه نمونه سیلیکان متخلخل (ps) با درصد تخلخل های 15، 29 و 40 با استفاده از روش آندی سازی الکتروشیمیایی به عنوان زیر لایه ساخته شد، سپس با استفاده از آنالیز fesem مورفولوژی سطح نمونه های ساخته شده مورد بررسی قرار داده شد. سپس با استفاده از دو روش پوشش دهی چرخشی و پرتو الکترونی، لایه نازکی از نانوذرات tio2 بر روی ps لایه نشانی شد. نمونه های تهیه شده با استفاده از آنالیز xrd و edx مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. سپس به بررسی و مقایسه مشخصه i-v و فاکتور ایده ال نمونه های ساندویچ شده al/si/ps/au و al/si/ps/tio2/au پرداخته شد. نکته حائز اهمیت این که مشخصه i-v تمامی نمونه های ساخته شده رفتار دیودی را از خود نشان دادند. مشخصه i-v نمونه ساندویچ شده al/si/ps/au با افزایش درصد تخلخل، جریان کمتری را از خود عبور می دهد و در نتیجه با کاهش جریان عبوری فاکتور ایده ال دیود ساخته شده افزایش یافت. در مقایسه مشخصه i-v بین دو روش لایه نشانی tio2، نتایج نشان داد که جریان عبوری از نمونه هایی که بوسیله پرتو الکترونی لایه نشانی شده اند نسبت به پوشش دهی چرحشی افزایش چشم گیری داشته و نیز فاکتور ایده ال دیود ساخته شده کاهش یافته است و شرایط نمونه ساخته شده به دیود ایده ال نزدیک تر شده است. همچنین در درصد تخلخل بالا در هر دو روش جریان بیشتری را نسبت به درصد تخلخل پایین از خود نشان می داد، که این افزایش جریان را می توان ناشی از افزایش چگالی حالت ها دانست. نتایج نشان داد که لایه نشانی tio2 بر روی ps به روش پرتو الکترونی در خلأ بسیار مناسب تر است از روش پوشش دهی چرخشی در اتمسفر هوا است.