پایان‌نامه

پراکندگی و ترابرد الکترون در صفحات تک لایه ای گرافین

دانلود متن کاملرایگان، با حساب کاربری؛ ثبت نام با گوگل چند ثانیه است

چکیده

کربن مادهی اولیه زندگی و پایه ای برای شیمی تمام موجودات زنده محسوب می شود. تنوع و انعطاف پیوندهای کربن باعث شده تا تعداد نا محدودی از ساختارهای مختلف با خصوصیات فیزیکی کاملاً متفاوتی از این عنصر در طبیعت وجود داشته باشد. بعد این ساختارهای متنوع به بارز بودن تفاوت های آنها کمک کرده است. یکی از این ساختارها که به صورت لایه ای از اتمهای کربن در یک شبکه شش وجهی منتظم آرایش یافته، گرافین است. تا چندی پیش باور فیزیکدانان بر آن بود که نمی توان یک ساختار کاملاً دو بعدی پایدار (یک تک لایه از اتم ها) ساخت و تا آن زمان سیستم هایی که دو بعدی نامیده می شدند در واقع به طور تقریبی دو بعدی بودند. در سال 2004 پژوهشگران دانشگاه منچستر به سرپرستی گیم و نووسلوف موفق به تولید گرافن در آزمایشکاه شدند. این سرآغازی بر مطالعه عمیق و دقیق ترانزیستورهای دو بعدی شد. فیزیکدانان خیلی زود متوجه شدند که معادله ی حاکم بر رفتار شبه ذرات درون گرافن با تقریب بسیار خوبی معادله نسبیتی دیراک است. هدف ما این است که ابتدا یک مرور مختصر بر فیزیک گرافن داشته باشیم. سپس مدلی برای الکترون های آزاد در گرافین ارائه می دهیم. این مدل بر اساس مدل فرمیونی دو بعدی دیراک است. امواج تخت و کروی اسپینوری را در این مدل به دست می آوریم. ویژگی های پاسخ های شعاعی اسپینورهای دو بعدی دیراک را بررسی کرده و جابجایی های فاز پراکندگی را تعیین و آنها را به سطح مقطع های جزیی پراکندگی وانتقال ارتباط می دهیم. برای پتانسیل کولنی محاسبات را هم در تقریب اول بورن و هم به صورت دقیق انجام می دهیم. نشان می دهیم تقریب اول بورن که در آن فازهای انتقال کوچک در نظر گرفته می شود، برای به دست آوردن سطح مقطع ترابرد ناشی از پراکندگی قوی جاذب یا دافع نامتقارن درست عمل نمی کند.

اساتید راهنما و مشاور

ابراهیم قنبری عدیوی

پایان‌نامه‌های مشابه

  • بررسی ترابرد الکتریکی در لایه گرافین در تقریب فاز اتفاقی

    پایان‌نامه۲۰۱۲وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوممنصوره نوروزی

    ما در این رساله پدیده ترابرد در گرافین تک لایه در حضور مراکز بار ناخالصی از لحاظ تئوری مورد بررسی قرار دادیم. از تئوری ترابرد بولتزمن و تقریب زمان واهلش برای بدست آوردن هدایت در چگالی های مختلف ناخالصی و الکترون کمک گرفتیم. اثر استتار حاملهارا به کمک تابع دی الکتریک استاتیک تقریب

  • ترابرد کوانتومی همدوس در گرافین یک لایه با برهمکنش راشبای ناهمگن

    پایان‌نامه۲۰۱۳وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده علوم پایهایرج ستوبادی

    نتایج حاصل از محاسبات ترابرد کوانتومی همدوس در گرافین یک لایه با برهمکنش راشبای ناهمگن نشان می دهد که تحت این این برهمکنش تقارن احتمال عبوری از بین می رود که البته میزان این عدم تقارن بستگی به عوامل متعددی از جمله تعداد لایه ها، عرض لایه ها، نوع تابع راشبا و انرژی الکترون فرودی د

  • محاسبه دینامیکی حالت های اسپینی، زیرشبکه و داخلی الکترون پی در گرافین تک لایه

    پایان‌نامه۲۰۱۰وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان فارس - دانشکده علوم پایهفاطمه عاقل

    این واقعیت که حالت های اسپین الکترون (به جای بار الکتریکی) بسیار کمتر حساس به نوفه های الکترومغناطیسی هستند، باعث آن شده است که امروزه تلاش وافری برای توسعه دستگاههای اسپینترونیکی (به جای الکترونیکی) به عمل آید. در این راستا دسته ای ازموادکه شامل فلزات و حتی نیمه هادی های آلی هست

  • اثر برهمکنش اسپین-مدارایجاد شده توسط زیر لایه در ترابرد وابسته به اسپین گرافین

    پایان‌نامه۲۰۱۲وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده علوم پایهجعفر عزیزی

    در این پایان نامه با در نظر گرفتن اثرات زیر لایه بر روی گرافین واحتساب ترم راشبا و با معرفی معادله نیمه کلاسیکی در دو بعد ویژه حالات و باندهای جدید اسپینی سیستم به دست آمده و اثر ناخالصی ها و پتانسیلهای خارجی بر روی ترابرد اسپینی با محاسبه جریان اسپینی و انباشت اسپینی محاسبه خواه

  • ترابرد الکترونی در نانوساختارهای گرافین دولایه

    پایان‌نامه۲۰۱۰وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده فیزیکپروین بیاتی

    گرافین دولایه هم مانند تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است، اما مطالعات توری و تجربی اخیر نشان داده اند که می توان گاف نواری قابل توجهی را با کاهش دادن تقارن سیستم با استفاده از یک میدان الکتریکی عمود بر لایه ها به وجود آورد. بنابراین ماده ای با گاف نواری قابل کنترل داریم که استفاد

  • شبیه سازی ترابرد الکترون در نیمرسانای اکسید روی به روش مونت کارلو

    پایان‌نامه۲۰۱۲وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علومفاطمه بدیعیان باغسیاهی

    در سالهای اخیر، نیمرساناهای با گاف نوار بزرگ نظیر نیترید گالیم، کربید سیلیسیم و اکسید روی مورد توجه قرار گرفته اند. از یک طرف به دلیل اینکه گاف نوار بزرگ این نیمرساناها، قطعات ساخته شده از این نیمرساناها را قادر می سازد تا دمای کار گسترده تری داشته باشند و در نتیجه می توان سیستم

اسناد مشابه