بررسی ترابرد الکتریکی در لایه گرافین در تقریب فاز اتفاقی
چکیده
ما در این رساله پدیده ترابرد در گرافین تک لایه در حضور مراکز بار ناخالصی از لحاظ تئوری مورد بررسی قرار دادیم. از تئوری ترابرد بولتزمن و تقریب زمان واهلش برای بدست آوردن هدایت در چگالی های مختلف ناخالصی و الکترون کمک گرفتیم. اثر استتار حاملهارا به کمک تابع دی الکتریک استاتیک تقریب فاز اتفاقی وارد مساله کردیم و نقش ثابت دی الکتریک زیر لایه گرافین در تعیین مقدار هدایت سیستم تک لایه در نظر گرفته شد. نتیجه این که محاسبه نشان داد که هدایت سیستم گرافین تک لایه با بزرگتر شدن زیر لایه بزرگتر می شود.