طراحی مدار های گیرنده-فرستنده مخابراتی با استفاده از نانو ترانزیستور ها
چکیده
هدف اصلی در انجام این پایان نامه طراحی بلوک های اصلی یک گیرنده- فرستنده مخابراتی بی سیم با توان مصرفی بسیار پایین است. در طراحی مدار ها برای تحقق بخشیدن به خواسته توان مصرفی بسیار کم از نانو ترانزیستور ها استفاده خواهیم کرد. کار اصلی انجام شده در این پایان نامه ترکیب ترانزیستورهای تک الکترونی (set) با mosfet ها در طراحی یک مدار سازنده ی فرکانسی است که یکی از بلوک های اصلی گیرنده- فرستنده های مخابراتی می باشد. سازنده های فرکانسی یک بلوک بسیار مهم در مدارهای مخابراتی است که توان مصرفی در آن نقش بسیار مهمی دارد. کارهایی زیادی در این خصوص تا کنون انجام شده است که در آنها با استفاده از ساختارهای متنوع و یا یا کاهش تکنولوژی ساخت توان مصرفی را کاهش می دهند. در این خصوص قصد داریم برای اولین بار با استفاده از مدارهای ترکیبی (set-mosfet) این بلوک را طراحی و شبیه سازی کنیم. در این پایان نامه همچنین با تکنولوژِی 90nm تقویت کننده ی نویز پایین طراحی می کنیم و مخلوط کننده یی برای سیستم با استفاده از یک مدار ترکیبی ساده ارائه می دهیم.از طرفی قصد این کار طراحی سیستمی موقعیت یاب است که در توان بسیار پایین کار کند و لذا در نهایت الگوریتمی ارائه می دهیم که موقعیت یابی را در توان بسیار پایین در محدوده کاری مدار های طراحی شده انجام دهد. در طراحی سیستمی این پروژه باید در نظر داشت که با توجه به پایین بودن توان های ارسالی و دریافتی، سیگنال به نویز (snr) در گیرنده بسیار پایین بوده و باید بتوان اطلاعات را به صورت صحیح استخراج کرد. مخابرات در توان پایین یکی از مباحث مهم روز است که کارهای بسیار زیادی در این زمینه شده است. مدار های ترکیبی همان طور که خواهید دید، منجر به کارایی بیشتر مدار در توان های بسیار پایین می شود و می تواند در آینده توجه زیادی را جلب کند