پایان‌نامه

بررسی ترابرد اسپین در مولکول های n-اسن

دانلود متن کاملرایگان، با حساب کاربری؛ ثبت نام با گوگل چند ثانیه است

چکیده

در این پژوهش ساختار الکترونی و خواص ترابرد اسپین برای مولکول های متعلق به خانواده اسن ها با استفاده از نظریه تابعی چگالی و دستاورد تابع گرین غیرتعادلی بررسی شده است. اسن های کوچک حالت پایه غیرمغناطیسی دارند، در حالی که مولکول هایی که دارای بیشتر از نه حلقه اسنی هستند، حالت پایه قطبیده اسپینی دارند. این مولکول ها در فاز گازی دارای اسپین کل تک گانه هستند که دو الکترون جفت نشده، بالاترین اوربیتال مولکولی تبهگن را اشغال می کنند. وقتی مولکول به الکترودهای طلا از طریق اتصال دهنده سولفور در پیکربندی پادمتقارن متصل می شود، این تبهگنی اوربیتالی از بین می رود و منجر به گشتاور مغناطیسی خالص کسری می گردد. این گشتاور مغناطیسی با افزایش طول مولکول زیاد می شود. در این شرایط پیوندگاه طلا/n-اسن/طلا می تواند به صورت یک جداکننده اسپینی به همراه کاربردهایی در زمینه اسپین ترونیک مولکولی به کار رود. همچنین اثر تصحیح خود برهم کنش اتمی(asic) را روی ساختار الکترونی وخواص ترابرد این مولکول ها بررسی کرده ایم. asic می تواند انرژی homo این مولکول ها را که حاصل از محاسبات lda است تغییر دهد به گونه ای که همخوانی خوبی با نتایج تجربی پتانسیل یونش داشته باشد، اما نمی تواند انرژی lumo حاصل از محاسبات lda را بهبود بخشد. با وجود این که اندازه گاف homo-lumo تصحیح شده، هنوز در مقایسه با مقدار تجربی کم برآورد شده است اما نسبت به مقادیر محاسبه شده حاصل از lda بزرگتر است. اینکه asic می تواند یک پیش بینی خوب برای پتانسیل یونش ارائه دهد، موجب بهبود بعضی از خواص ترابرد مثل هدایت بایاس صفر می شود در حالی که asic به دلیل پایین برآوردکردن lumo، نمی تواند بعضی پدیده های مشاهده شده در ترابرد، مثل هدایت حفره در پنتاسین را توصیف نماید. در مرحله بعد، خواص ترابرد اسپینی این مولکول ها در پیوندگاه تونلی آهن/n-اسن/آهن مطالعه شده است. خصوصاً توجه خود را روی مولکول پنتاسین(n=5) معطوف کرده و وابستگی جریان و مغناطو مقاومت تونلی (tmr) به ولتاژ بایاس در ولتاژهای پایین را برای پیوندگاه آهن/پنتاسین/آهن بدست آورده ایم. نماهای الکترونی متفاوتی شامل حالت های تشدیدی اتصال، تشدیدهای مربوط به لبه های نوارآهن در نقطه ? و قله های homo وlumo پنتاسین در منحنی های ضریب ترابرد این مولکول مشاهده گردید. همچنین ضریب ترابرد بایاس صفر برای مولکول های n-اسن بین یک تا پنج حلقه محاسبه شده است. از مقایسه این ضرایب دریافتیم که ترابرد در این مولکول ها از رفتار تـونلی (t?e^(-?x)) پیروی می کند. tmr بایاس صفر برای پنتاسین (n=5) حدود 76% است که در مقایسه با مولکول های n-اسن کوچکتر بسیار بالاتر می باشد.

اساتید راهنما و مشاور

ناصر شاه طهماسبی، استفانو سنویتو

پایان‌نامه‌های مشابه

اسناد مشابه

  • ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در ساختارهای نامتجانس Fe-MgO-Fe

    در این مقاله خواص ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین را در ساختارهای نامتجانس مغناطیسی شامل دو الکترود فرومغناطیس آهن جدا شده با یک لایه عایق مغناطیسی اکسید منیزیم بررسی می‌شود. این خواص شامل جریان الکتریکی، قطبش اسپینی و مقاومت مغناطیس تونل‌زنی می‌باشد. برای این منظور در راستای عمو

  • ترابرد الکترونی در پیوندگاه بر پایه مولکول dsdna: یک مدل فیبوناچی

    مقالهپژوهش فیزیک ایرانسید احمد کتابی، s a ketabi department of physics, damghan university, damghan, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه دامغان، دامغان، ایران هلیا فیلی خوزستانی، h khouzestani department of physics, damghan university, damghan, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه دامغان، دامغان، ایران

    در این مقاله خواص ترابرد الکترونی از طریق مولکول dna بر پایه یک رشته شبه تناوبی از نئوکلوتیدهای آن به صورت عددی بررسی می-شود. با استفاده از یک روش تابع گرین تعمیم یافته، رسانش الکترونی مولکول dna به صورت رشته poly(gact)-poly(ctga) در ساختاری به صورت مدل فلز / dna / فلز مطالعه می

  • ترابرد الکترونی در پیوندگاه بر پایه مولکول dsDNA: یک مدل فیبوناچی

    مقاله۲۰۱۹پژوهش فیزیک ایرانسید احمد کتابی، هلیا فیلی خوزستانی

    در این مقاله خواص ترابرد الکترونی از طریق مولکول DNA بر پایه یک رشته شبه تناوبی از نئوکلوتیدهای آن به‌صورت عددی بررسی می-شود. با استفاده از یک روش تابع گرین تعمیم یافته، رسانش الکترونی مولکول DNA به‌صورت رشته poly(GACT)-poly(CTGA) در ساختاری به‌صورت مدل فلز / DNA / فلز مطالعه می‌

  • ترابرد الکترونی و خواص ترموالکتریکی پیکربندی‌های متفاوت یک مولکول چهار اتمی در رهیافت تنگابست

    مقاله۲۰۲۶نانو مقیاسمحمد مردانی، حسن ربانی، ملیکا پیرامون، تقی اکبری چالشتری

    در این مقاله خواص ترابردی الکترونی و ترموالکتریکی یک نانو ساختار چهار اتمی در پیکربندی‌های متفاوت، که فرض شده یکی از اتم‌ها بعنوان ناخالصی با بقیه متفاوت است، مورد بررسی قرار می‌گیرد. محاسبات در رهیافت تنگابست و با استفاده از فن تابع گرین انجام شده‌اند. در پرش الکترون بین اتم‌های