پایان‌نامه

بررسی اثرات بی نظمی در ترابرد اسپین ابرشبکه سیلیسن

چکیده

در تحقیق حاضر انتقال اسپین در یک سیلیسن نرمال/سیلیسن فرومغناطیس/سیلیسن نرمال مطالعه شد.رسانندگی اسپین که در اتصالات سیلیسنی به طور متناوب با پهنای سیلیسن فرومغناطیس تغییر می-کند، نشان داده شد. همچنین مشخص شد که درجریان بین اتصالات سیلیسنی ،اسپین به خاطر جفت شدن درجات آزادی اسپین،ونقاط دیراک پلاریزه می شود و این پلاریزاسیون اسپین به کمک ولتاژ گیت کنترل میشود. هدف این مطالعه رسانندگی اسپینی در یک ابر شبکه سیلیسن بی نظم می باشد. تأثیر بی نظمی برای احتمال انتقال اسپین در سیستم با اندازه های مختلف بررسی می شود. در نتیجه در یک شبکه بی نظم تعداد سد، پهنای سد وچاه ،مقدار بی نظمی و ولتاژ گیت تأثیر دارد، همچنین می توان شرایطی ایجاد کرد که با تغییر پارامترهای شبکه صد در صد پلاریزاسیون اسپینی ایجاد کرد. اضافه بر آن در کاربردپلاریزاسیون صددرصد نمودن اسپین برای علم اسپینترونیک مناسب می باشد.

اساتید راهنما و مشاور

مهدی سعادت

پایان‌نامه‌های مشابه

  • بررسی ترابرد اسپین در ابر شبکه سیلیسن

    پایان‌نامه۲۰۱۴وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - دانشکده علوم پایهسیده ندا حسینی بیرون

    در این اثر انتقال اسپین را در اتصالات سیلیسنی سیلیسن نرمال / سیلیسن فرومغناطیس / سیلیسن نرمال که یک الکترود به سیلیسن فرومغناطیس ضمیمه شده است مطالعه و بررسی می کنیم. سپس در می یابیم که یک میدان تبادلی از سیلیسن فرومغناطیس ناشی می شود و جریان اسپین در میان اتصال یک رفتار نوسانی د

  • کنترل ترابرد اسپین در ابرشبکه گرافین فرو مغناطیس باسدهای پتانسیل مغناطیسی

    پایان‌نامه۲۰۱۴وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده علوم پایهلیلی علی شاهی

    در این پایانامه با اعمال یک میدان مغناطیسی عمود بر سطح گرافین، سدهای پتانسیل در آن القا می کنیم و تونل زنی الکترون از ابرشبکه گرافین با سدهای مغناطیسی تابع دلتا مورد بررسی قرار گرفته است. بررسی احتمال عبور و رسانش با استفاده از روش ماتریس انتقال نشان می دهد که تغییر میدان اثری در

  • بررسی نقش بر هم کنش های اسپین-مدار راشبا و درسلهاوس بر ترابرد اسپین در حلقه های کوانتومی

    پایان‌نامه۲۰۱۳وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیکابوالفضل مرادی

    از زمان پیشنهاد طرح ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهم کنش اسپین-مدار راشبا در سال 1990، تاکنون تلاش های زیادی برای تزریق و آشکارسازی جریان های اسپین قطبیده در یک ماد? نیم رسانا صورت گرفته است که منجر به گسترش حوزه های مگنتوالکترونیک و اسپینترونیک گردیده است. لذا مطالع? خ

  • بررسی ترابرد اسپین در مولکول های n-اسن

    پایان‌نامه۲۰۱۲وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم پایهراحله پیله ور شهری

    در این پژوهش ساختار الکترونی و خواص ترابرد اسپین برای مولکول های متعلق به خانواده اسن ها با استفاده از نظریه تابعی چگالی و دستاورد تابع گرین غیرتعادلی بررسی شده است. اسن های کوچک حالت پایه غیرمغناطیسی دارند، در حالی که مولکول هایی که دارای بیشتر از نه حلقه اسنی هستند، حالت پایه ق

  • بررسی اثر جفتیدگی وادی مدار و ترابرد اسپین و وادی در نانوساختارهای دی سولفید مولیبدن

    پایان‌نامه۲۰۱۴وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده فیزیکمیثم رحمانی

    در دهه گذشته تحقیقات و توجهات زیادی روی مواد دو بعدی از قبیل گرافین, سیلیسین, mos2و ترکیبات مشابه و عایق های توپولوژیکی در فیزیک ماده چگال انجام شده است, به خاطر خواص جالب و منحصر به فردی است که از خود نشان می دهند. دی سولفید مولیبدن mos2 خواص منحصر به فردی را به عنوان یک نیمه رس

  • خواص ترابرد اسپین از طریق مولکول dna به عنوان یک سیم مولکولی (مطالعات عددی)

    پایان‌نامه۲۰۱۰وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علوم پایه دامغانایمان کرمی

    در این پژوهش با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی و فرمول بندی لانداور- بوتیکر، خواص ترابرد وابسته به اسپین از طریق مولکول dna متصل شده به دو الکترود فرومغناطیسی با سطح مقطع محدود، بصورت عددی بررسی می شود. با مطالعه ترابرد همدوس وابسته به اسپین از طریق مولکول dna نشان می دهیم ک

اسناد مشابه