پایان‌نامه

بررسی و اندازه گیری طول عمر حامل هادر مولتی کریستال سیلیسیم

چکیده

بررسی و اندازگیری طول عمر حامل ها در مولتی کریستال سیلیسیم بلور سیلیسیم به دلیل شکاف نواری مناسب و غیر سمی بودن به عنوان یک عنصر تجاری، انتخاب مناسبی برای سلول های فتوولتاییک است. از تجزیه و تحلیل ضریب پُرکنندگی و بازده تبدیل سلول خورشیدی آشکار است که عملکرد سلول خورشیدی با پارامترهای فیزیکی مثل طول عمر حاملهای اقلیت، طول های نفوذ، عمق نفوذ، چگالی های ناخالصی، مقاومت سطحی، مقاومت های سری و شانت، پوشش ضد بازتاب و ساختار پیوندی تعیین می شود. بنابراین به منظور طراحی سلول خورشیدی بهینه، همه این پارامترها روی بازده تبدیل سلول خورشیدی تاثیر می گذارد. در این پایان نامه به اندازگیری و تفسیر طول عمر حامل در مولتی کریستال سیلیسیم پرداخته می شود. تاثیر نفوذ فسفر روی ویفرهای مولتی کریستال سیلیسیم برای کاربرد در سلول های خورشیدی بررسی شده است که لایه n+ ناخالص شده توسط کوره نفوذ شکل گرفته است. اندازگیری طول عمر موثر حامل ها توسط دستگاه ?-pcd صورت می گیرد که افزایش طول عمر موثر را نسبت به حالت قبل از نفوذ نشان می دهد. در این پایان نامه 32 آزمایش با تغییر زمان پیش نشست، دمای پیش نشست، زمان فرورو، شار اکسیژن و شار pocl3 انجام شده است. سپس به بررسی عاملها توسط طراحی فاکتوریل که روشی مهم برای تعیین اثرات متغیر های متعدد روی یک پاسخ است، پرداخته شده است. به کمک طراحی فاکتوریل تعداد آزمایش های انجام شده به منظور مطالعه عوامل چندگانه کاهش می یابد و اثر هر عامل و همچنین اثر متقابل عواملرا نیز نشان داده می شود. روش فاکتوریل، روشی مفید برای طراحی آزمایشات در تنظیم آزمایشگاهی و صنعتی است. با این روش تعداد آزمایشات کاهش یافته که در وقت و هزینه صرفه جویی شده است. روش فاکتوریل یک تجزیه و تحلیل آماری برای تأثیر هر پارامتر است که اساساً روشی سازمان یافته برای هدایت آزمایشات است تا بیشینه اطلاعات را از تعداد آزمایشات محدود شده خارج کند. طراحی آزمایشگاهی فاکتوریل اهمیت زیادی برای کاربردهای تولیدی داشته است.

اساتید راهنما و مشاور

ابراهیم اصل سلیمانی، محمدرضا جلیلیان نصرتی

پایان‌نامه‌های مشابه

اسناد مشابه

  • پایداری سامانه اندازه گیری طول عمر پوزیترون و بررسی نوع و غلظت عیب ناشی از تابش الکترون های ۱۰ مگا الکترون ولتی بر نمونه های سیلیکونی نوع n و p

    مقالهپژوهش فیزیک ایراناسماعیل طیب فرد، e tayebfard department of physics, university of sistan and baluchestan, zahedan, iranگروه فیزیک، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان علی اکبر مهمان دوست خواجه داد، a a mehmandoost khajeh dad department of physics, university of sistan and baluchestan, zahedan, iranگروه فیزیک، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان مرتضی خاقانی، m khaghani department of physics, university of sistan and baluchestan, zahedan, iranگروه فیزیک، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان مرتضی جعفرزاده خطیبانی

    طیف سنجی طول عمر نابودی پوزیترون در ماده، یکی از روش های با ارزش و غیر مخرب در زمینه مطالعه مواد است که می تواند اطلاعاتی در مورد چگالی الکترونی، غلطت عیب، نوع عیب و اتم های اطراف عیب ارائه دهد. در این تحقیق، پایداری زمان سنجی دستگاه بررسی و اثبات شده است. قدرت تفکیک زمانی دستگاه