ساخت چندلایه ای مغناطیسی (fe(3nm) /sn(xnm)/ni(3nm به روش pvd و بررسی خواص ساختاری و مغناطیسی
چکیده
چندلایه ای[ni(3nm)/sn(xnm)/fe(3nm)] 4 با روش تبخیر حرارتی، روی بستر سیلیکونی، در دمای اتاق و در فشار خلأ 6×?10?^(-7) میلی بار تهیه شدند. لایه ی آلومینیومی با ضخامت 4 نانومتر به عنوان پوشش محافظ لایه نشانی شد. مجموعه شامل نمونه های با ضخامت جداکننده x=2,4 nm است. خواص مغناطیسی و ساختاری مورد بررسی قرار گرفت. نتایج بازتاب پرتو ایکس، کامل تر شدن ساختار تناوبی و ناهمواری را با افزایش در ضخامت لایه ی جداکننده نشان می دهد. اندازه گیری خواص مغناطیسی، نشان داد که با افزایش ضخامت لایه جداکننده قلع، دمای گذار افزایش می یابد. منحنی های پسماند رفتار سوپرپارامغناطیسی چندلایه ای را با افزایش دما نشان می دهند.