پایان‌نامه

اثر میکروکرنش در سیلیکان متخلخل

چکیده

نانوساختارهای سیلیکان متخلخل توسط روش آندی در سلول الکتروشیمیایی با چگالی جریان ثابت بدست آمده است که دارای منافذ و خوردگی ستونی می باشد. بسته به زمان خوردگی، می توان نمونه هایی با اندازه ی منافذ متفاوت بدست آورد. برای مطالعه خواص مکانیکی از جمله تعیین اختلاف پارامتر شبکه ای سیلیکان متخلخل از روش های پراش پرتوی ایکس متفاوت استفاده می شود. طیف پراش ایکس دقت بالا از این نانوساختارها دو قله ی براگ در راستای (400) را نشان می دهند. قله سیلیکان متخلخل نوع p اندکی پهن تر از پیک تک بلور سیلیکان می باشد اما تا حدودی نیز به زاویه های کوچکتر جابه جا شده است. این کرنش بستگی به پارامترهای مختلف دارد که اثر یکی از پارامتر های آندیزاسیون بر روی کرنش در سیلیکان متخلخل می باشد. پارامتر شبکه ی بزرگتر لایه ی سیلیکان متخلخل باعث شکننده بودن، کاهش استحکام شبکه ای و الاستیسیته آن نسبت به زیر لایه ی سیلیکان خواهد شد. از این خاصیت، می توان به عنوان حسگر مواد گازی و بخارات مایعات استفاده نمود. علاوه بر پراش ایکس دقت بالا، طیف سنجی میکرورامان با دقت فضایی یک میکرون برای تعیین تنش و کرنش های صفحه ای در نمونه های سیلیکان متخلخل قرار گرفته روی زیرلایه سیلیکان انجام شده است. شرط به کارگیری طیف سنجی رامان برای تعیین کرنش و تنش داشتن نرمال مد فعال ماده ی مورد بررسی می باشد. از آنجا که سیلیکان دارای مد ارتعاشی رامان است طیف سنجی میکرورامان در تعیین تنش های پسماند در سیلیکان متخلخل به کار رفته است. به دلیل اینکه ضخامت لایه ی متخلخل پایین است دو قله ی نزدیک به هم در طیف رامان مشاهده می شود. قله ی مربوط به مد ارتعاشی سیلیکان در موقعیت 520.5 cm^(-1) قرار دارد و در نزدیکی آن، قله ی مربوط به لایه متخلخل کرنش یافته در موقعیت فرکانس های کمتر نسبت به زیرلایه ی سیلیکان قرار دارد. با استفاده از شبیه سازی شدت دو قله با توزیع لورنسی، موقعیت قله ها بدست می آید. از آنجا که بلور سیلیکان دارای یاخته ی قراردادی مکعبی است با استفاده از معادله ی سکولار ، مقدار کرنش و تنش های صفحه ای را از انتقال های رامان را می توان بدست آورد. برای اینکه قله پراش از صفحات دیگر بلوری در سیلیکان متخلخل را بدست آوریم آن را از زیرلایه ی سیلیکان جدا نموده و با استفاده از طیف سنجی پودری از نمونه های پودری سیلیکان متخلخل، نقص های میکروساختاری را با استفاده از توابع تحلیلی همچون تابع لورنسی، گوسی و ویت برای برازش هر یک از خطوط پراش ایکس انجام شده است. از نمودار های ویلیامسون- هال و تعمیم یافته آن، میکروکرنش و اثر اندازه را برای نمونه های پودری بدست آوردیم.

اساتید راهنما و مشاور

رضا ثابت داریانی

پایان‌نامه‌های مشابه

اسناد مشابه

  • بررسی وابستگی میکروساختارهای سطحی سیلیکان متخلخل و خواص اپتیکی آن

    مقالهپژوهش فیزیک ایرانسعیده رمضانی ثانی، saeideh rhramezani sani physics department, al-zahra university, tehran, iranگروه فیزیک، دانشگاه الزهرا، تهران عبدالله مرتضی علی، abdollah morteza ali physics department, al-zahra university, tehran, iranگروه فیزیک، دانشگاه الزهرا، تهران

    در این مقاله اثر افزایش تخلخل و تغییرات میکروساختاری سطحی بر روی خواص اپتیکی و دی الکتریکی سیلیکان متخلخل بررسی شده است. تخلخل به عنوان یک ناهمواری سطحی در ابعاد میکرونی یا کوچکتر, که اثرات کوانتومی در فرایند جذب و انعکاس از سیلیکان متخلخل را نشان می دهد و نسبت به خواص اپتیکی سیل

  • بررسی وابستگی میکروساختارهای سطحی سیلیکان متخلخل و خواص اپتیکی آن

    در این مقاله اثر افزایش تخلخل و تغییرات میکروساختاری سطحی بر روی خواص اپتیکی و دی الکتریکی سیلیکان متخلخل بررسی شده است. تخلخل به عنوان یک ناهمواری سطحی در ابعاد میکرونی یا کوچکتر, که اثرات کوانتومی در فرایند جذب و انعکاس از سیلیکان متخلخل را نشان می دهد و نسبت به خواص اپتیکی سیل

  • همبستگی تخلخل با زبری توسط طیف پراکندگی سطوح نانویی سیلیکان متخلخل

    مقالهپژوهش فیزیک ایرانرضا ثابت داریانی، r dariani department of physics, alzahra university, tehran, iranگروه فیزیک، دانشگاه الزهرا (س)، تهران ستاره ابراهیم نسب، s ebrahimnasab department of physics, alzahra university, tehran, iranگروه فیزیک، دانشگاه الزهرا (س)، تهران

    10 ma/cm2طیف بازتاب، چهار نمونه سیلیکان متخلخل تحت زمانهای خوردگی 2، 6، 10 و 14 دقیقه با چگالی جریاناندازه گیری شد. رفتار طیف بازتاب برای هر چهار نمونهیکسان، اما شدت آنها متفاوت بود و با افزایش زمان، شدت بازتاب، کاهش می یافت. دلیل عدم تغییر در رفتارهای طیف بازتاب ، یکسان بودن غلظ

  • همبستگی تخلخل با زبری توسط طیف پراکندگی سطوح نانویی سیلیکان متخلخل

    10 mA/cm2طیف بازتاب، چهار نمونه سیلیکان متخلخل تحت زمانهای خوردگی 2، 6، 10 و 14 دقیقه با چگالی جریاناندازه‌گیری شد. رفتار طیف بازتاب برای هر چهار نمونهیکسان، اما شدت آنها متفاوت بود و با افزایش زمان، شدت بازتاب، کاهش می‌یافت. دلیل عدم تغییر در رفتارهای طیف بازتاب ، یکسان بودن غلظ

  • شبیه سازی اثرات نوع آلایش و چگالی جریان در رشد سیلیکان متخلخل به روش اصلاح شده انبوهش پخش محدود

    مقالهپژوهش فیزیک ایرانسکینه مینائی فرد، s. minaeifard alzahra universityدانشگاه الزهرا(س) رضا ثابت داریانی، r. dariani alzahra universityدانشگاه الزهرا(س)

    هدف از این مقاله وارد کردن اصلاحاتی به مدل انبوهش پخش محدود می باشد که بتواند اثرات نوع آلایش و چگالی جریان را درشکل ساختارهای به دست آمده طی رشد سیلیکان متخلخل شبیه سازی کند. برای تأثیر نوع آلایش, ضریب چسبندگی و برای تأثیر چگالی جریان, پارامتر میدان متوسط را به مدل انبوهش پخش مح

  • اندازه گیری هیدروژن در عمق نمونۀ سیلیکان متخلخل به روش آشکارسازی ذرات پس زده از برخورد کشسان

    مقالهسنجش و ایمنی پرتومحمد ترکیها، mohammad torkiha faculty of physics, university of kashan, km 6 ghotbravandi blvd, kashan, isfahan, iranایران، اصفهان، کاشان، کیلومتر 6 بلوار قطب راوندی، دانشگاه کاشان، دانشکده فیزیک، کد پستی: 8731751167 امیدرضا کاکویی، omid reza kakuee physics & accelerators research school, nstri, tehran, iranپژوهشکده فیزیک و شتابگرها، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، تهران، ایران وحید فتح اللهی، vahid fathollahi physics & accelerators research school, nstri, tehran, iranپژوهشکده فیزیک و شتابگرها، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، تهران، ایران

    سیلیکان متخلخل (ps) از حل الکتروشیمیایی سیلیکان در محلول hf+dmf به دست می آید. در فرایند تشکیل حفره ها در سیلیکان، ترکیبات هیدروژن دار در سطح دیواره های حفره ها ایجاد می شوند. در این تحقیق با اندازه گیری میزان هیدروژن در عمق نمونۀ ps، توزیع تخلخل در عمق نمونه تخمین زده شده است. ب