پایان‌نامه

بررسی اثر تنش بر نانوساختارهای سیلیکان متخلخل

چکیده

هدف اصلی این پایان نامه مطالعه و بررسی اثر تنش بر روی نانوساختار های سیلیکان متخلخل می باشد. سیلیکان متخلخل ساختاری است که در اثر فرآیند الکتروشیمیایی بر روی سطح ویفر سیلیکان ساخته می شود. نمونه های سیلیکان متخلخل از سیلیکان نوع p با مقاومت ویژهcm ? 5-1 و جهت گیری صفحه بلوری (100) تحت شرایط آندیزاسیونی با محلولی حاوی غلظت اسید هیدروفلوئوریک 40-38 % و اتانول به نسبت حجمی (1:1) با چگالی جریان ثابت 20 میلی آمپر بر سانتی متر مربع و مدت زمان ها 30 ،20 ،10 و 40 دقیقه ساخته شده اند. نتایج ما نشان دادند که تخلخل با افزایش زمان خوردگی افزایش می یابد. اغلب اندازه گیری ها بر روی سیلیکان متخلخل معطوف به اندازه گیری های اپتیکی و الکتریکی بوده است و کمتر به بررسی خواص مکانیکی سیلیکان متخلخل پرداخته شده است. در این پایان نامه برای بررسی ویژگی های مکانیکی به مطالعه اثر تنش دو لایه مختلف که شامل لایه نگداشته شده توسط زیرلایه و لایه غشایی است، پرداخته ایم. در این تحقیق، به بررسی مدول یانگ، ریشه پواسون، انبساط شبکه و کرنش پرداخته ایم. نتایج ما نشان داد مدول یانگ و ریشه پواسون برای هر دو لایه که ضخامت و درصد تخلخل یکسانی دارند با افزایش تخلخل به علت ساختار متخلخل و اسفنجی شکل سیلیکان متخلخل کاهش می یابند. ما در نمونه هایمان به علت تنشی که لایه متخلخل بر زیرلایه اش وارد می کند انحنایی به شعاع r ایجاد می شد که با افزایش تخلخل به علت وجود این انحنا عدم انطباق شبکه ای صورت می گیرد که روند افزایشی را برای انبساط شبکه ای مشاهده کردیم اما مقدار انبساط شبکه ای در لایه تخلخل نگه داشته شده توسط زیرلایه نسبت به لایه غشایی بیشتر است که این افزایش را می توان به این حقیقت نسبت داد که برای لایه های متخلخل نگهداشته شده توسط زیرلایه، صفحات عمود بر زیرلایه مقید هستند که فاصله بین اتمی یکسانی با زیرلایه داشته باشند. همچنین برای بررسی کرنش عمودی از دستگاه پراش اشعه ایکس با دقت بالا استفاده شد و در این آزمایش ها مشاهده کردیم که با افزایش تخلخل چون اختلاف زاویه ای بین لایه های مختلف با زیرلایه اش افزایش می یابد شاهد افزایش فاصله صفحات هستیم و به عبارت دیگر کرنش افزایش می یابد.

اساتید راهنما و مشاور

رضا ثابت داریانی

پایان‌نامه‌های مشابه

  • جذب نوری در نانوساختارهای سیلیکان متخلخل

    پایان‌نامه۲۰۱۱وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه الزهراء - دانشکده علوم پایهراضیه ظفری

    نمونه های سیلیکان متخلخل از ویفرهای سیلیکان نوع p، با زمان های خوردگی 10و 20 و 30 و 40 دقیقه، با چگالی جریان ثابت ساخته شدند. تصاویر sem گرفته شده از بالا و سطح مقطع نمونه ها نشان داد که با افزایش زمان خوردگی، میزان تخلخل و ضخامت لایه ی متخلخل افزایش می یابند. برای گرفتن طیف جذب

  • اثر میکروکرنش در سیلیکان متخلخل

    پایان‌نامه۲۰۱۳وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه الزهراء - دانشکده علوم پایهزهرا لاکتراشی

    نانوساختارهای سیلیکان متخلخل توسط روش آندی در سلول الکتروشیمیایی با چگالی جریان ثابت بدست آمده است که دارای منافذ و خوردگی ستونی می باشد. بسته به زمان خوردگی، می توان نمونه هایی با اندازه ی منافذ متفاوت بدست آورد. برای مطالعه خواص مکانیکی از جمله تعیین اختلاف پارامتر شبکه ای سیلی

  • خواص نوری سیلیکان متخلخل بر پایه مستقل

    پایان‌نامه۲۰۰۹وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه الزهراء - دانشکده علوم پایهندا رحمانی

    سیلیکان متخلخل که برای اولین بار در سال 1956 ساخته شد، دارای خواص کاملا متفاوتی با سیلیکان است. خواص الکتریکی، مکانیکی و سایر خواص فیزیکی سیلیکان متخلخل از نوعی به نوع دیگر متغیر است. به دلیل همین خواص متنوع و قابل تنظیم، سیلیکان متخلخل در زمینه های بسیاری از جمله الکترونیک، اپتی

  • مطالعه اثرات ساختار لایه های متخلخل حاصل از آندیزاسیون الکتروشیمیایی به منظور افزایش حساسیت حسگر سیلیکان متخلخل

    پایان‌نامه۲۰۱۰دانشگاه تربیت معلم - تهران - دانشکده علومسمیه صدر

    نانو و میکروساختارهای سیلیکان متخلخل شامل منافذ ماکرو، بر روی سیلیکان نوع p به روش آندیزاسیون الکتروشیمایی در الکتروشیمایی درالکترولیت شامل dmf و اسید hfایجاد گرید تاثیر پارامترهایی همچون زمان آندیزاسیون چگالی جریان و غلظت الکترولیت هم بر ساختار تخلخل و هم بررسانایی سیلیکان متخلخ

  • هدایت الکتریکی سیلیکان متخلخل بر پایه مستقل

    پایان‌نامه۲۰۰۹وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه الزهراء - دانشکده علوم پایهزهرا سادات حسینی

    به دلیل خواص متنوع و قابل توجه سیلیکان متخلخل، این ماده در زمینه های بسیاری از جمله الکترونیک، میکرو الکترونیک، اپتیک و ساخت انواع حسگرها کاربرد فراوانی دارد.در این پایان نامه تصمیم بر این است که سیلیکان متخلخل ساخته شود و هدایت الکتریکی آن بررسی گردد.برای ساخت سیلیکان متخلخل می

  • آماده سازی سیلیکان متخلخل با ابعاد نانومتر و میکرومتر و بررسی خواص الکتریکی آنها و مقایسه خواص الکتریکی نانوساختارها و میکروساختارها

    پایان‌نامه۲۰۱۱دانشگاه تربیت معلم - تهران - دانشکده علوم پایهمعصومه مقدسی

    در این کار، نانو و میکروساختارهای سیلیکان متخلخل شامل منافذ ماکرو، بر روی سیلیکان نوع p به روش آندیزاسیون الکتروشیمیایی در الکترولیت شامل dmf و اسید hf، ایجاد گردید. همچنین نانوساختارهای سیلیکان متخلخل شامل منافذ مزو به وسیله ی آندی سازی سیلیکان تک بلوری در محلول اسیدهیدروفلوریک

اسناد مشابه

  • بررسی وابستگی میکروساختارهای سطحی سیلیکان متخلخل و خواص اپتیکی آن

    مقالهپژوهش فیزیک ایرانسعیده رمضانی ثانی، saeideh rhramezani sani physics department, al-zahra university, tehran, iranگروه فیزیک، دانشگاه الزهرا، تهران عبدالله مرتضی علی، abdollah morteza ali physics department, al-zahra university, tehran, iranگروه فیزیک، دانشگاه الزهرا، تهران

    در این مقاله اثر افزایش تخلخل و تغییرات میکروساختاری سطحی بر روی خواص اپتیکی و دی الکتریکی سیلیکان متخلخل بررسی شده است. تخلخل به عنوان یک ناهمواری سطحی در ابعاد میکرونی یا کوچکتر, که اثرات کوانتومی در فرایند جذب و انعکاس از سیلیکان متخلخل را نشان می دهد و نسبت به خواص اپتیکی سیل

  • بررسی وابستگی میکروساختارهای سطحی سیلیکان متخلخل و خواص اپتیکی آن

    در این مقاله اثر افزایش تخلخل و تغییرات میکروساختاری سطحی بر روی خواص اپتیکی و دی الکتریکی سیلیکان متخلخل بررسی شده است. تخلخل به عنوان یک ناهمواری سطحی در ابعاد میکرونی یا کوچکتر, که اثرات کوانتومی در فرایند جذب و انعکاس از سیلیکان متخلخل را نشان می دهد و نسبت به خواص اپتیکی سیل

  • همبستگی تخلخل با زبری توسط طیف پراکندگی سطوح نانویی سیلیکان متخلخل

    مقالهپژوهش فیزیک ایرانرضا ثابت داریانی، r dariani department of physics, alzahra university, tehran, iranگروه فیزیک، دانشگاه الزهرا (س)، تهران ستاره ابراهیم نسب، s ebrahimnasab department of physics, alzahra university, tehran, iranگروه فیزیک، دانشگاه الزهرا (س)، تهران

    10 ma/cm2طیف بازتاب، چهار نمونه سیلیکان متخلخل تحت زمانهای خوردگی 2، 6، 10 و 14 دقیقه با چگالی جریاناندازه گیری شد. رفتار طیف بازتاب برای هر چهار نمونهیکسان، اما شدت آنها متفاوت بود و با افزایش زمان، شدت بازتاب، کاهش می یافت. دلیل عدم تغییر در رفتارهای طیف بازتاب ، یکسان بودن غلظ

  • همبستگی تخلخل با زبری توسط طیف پراکندگی سطوح نانویی سیلیکان متخلخل

    10 mA/cm2طیف بازتاب، چهار نمونه سیلیکان متخلخل تحت زمانهای خوردگی 2، 6، 10 و 14 دقیقه با چگالی جریاناندازه‌گیری شد. رفتار طیف بازتاب برای هر چهار نمونهیکسان، اما شدت آنها متفاوت بود و با افزایش زمان، شدت بازتاب، کاهش می‌یافت. دلیل عدم تغییر در رفتارهای طیف بازتاب ، یکسان بودن غلظ

  • شبیه سازی اثرات نوع آلایش و چگالی جریان در رشد سیلیکان متخلخل به روش اصلاح شده انبوهش پخش محدود

    مقالهپژوهش فیزیک ایرانسکینه مینائی فرد، s. minaeifard alzahra universityدانشگاه الزهرا(س) رضا ثابت داریانی، r. dariani alzahra universityدانشگاه الزهرا(س)

    هدف از این مقاله وارد کردن اصلاحاتی به مدل انبوهش پخش محدود می باشد که بتواند اثرات نوع آلایش و چگالی جریان را درشکل ساختارهای به دست آمده طی رشد سیلیکان متخلخل شبیه سازی کند. برای تأثیر نوع آلایش, ضریب چسبندگی و برای تأثیر چگالی جریان, پارامتر میدان متوسط را به مدل انبوهش پخش مح

  • اندازه گیری هیدروژن در عمق نمونۀ سیلیکان متخلخل به روش آشکارسازی ذرات پس زده از برخورد کشسان

    مقالهسنجش و ایمنی پرتومحمد ترکیها، mohammad torkiha faculty of physics, university of kashan, km 6 ghotbravandi blvd, kashan, isfahan, iranایران، اصفهان، کاشان، کیلومتر 6 بلوار قطب راوندی، دانشگاه کاشان، دانشکده فیزیک، کد پستی: 8731751167 امیدرضا کاکویی، omid reza kakuee physics & accelerators research school, nstri, tehran, iranپژوهشکده فیزیک و شتابگرها، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، تهران، ایران وحید فتح اللهی، vahid fathollahi physics & accelerators research school, nstri, tehran, iranپژوهشکده فیزیک و شتابگرها، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، تهران، ایران

    سیلیکان متخلخل (ps) از حل الکتروشیمیایی سیلیکان در محلول hf+dmf به دست می آید. در فرایند تشکیل حفره ها در سیلیکان، ترکیبات هیدروژن دار در سطح دیواره های حفره ها ایجاد می شوند. در این تحقیق با اندازه گیری میزان هیدروژن در عمق نمونۀ ps، توزیع تخلخل در عمق نمونه تخمین زده شده است. ب