طراحی و شبیه سازی سوئیچ خازنی mems با ولتاژ تحریک پایین
چکیده
در این پایان نامه یک ساختار جدید جهت کاهش ولتاژ تحریک، که از چالش های بزرگ سوئیچ mems می باشد، ارائه شده است. جهت طراحی و شبیه سازی پارامترهای سوئیچ ها از نرم افزار ansys استفاده شده است. در این نرم افزار طرح های ارائه شده از نظر میزان ولتاژ تحریک، ولتاژ شکست، ماکزیمم خمش، ضریب فنر، جرم بیم، فرکانس رزونانس و ظرفیت خازنی مورد تحلیل و مقایسه قرار گرفته اند. از مهمترین خصوصیات و ویژگی های ساختار بیم پیشنهادی می توان به اندازه کوچک (نصف سایر طرح های ارائه شده)که باعث آسان شدن فرآیند ساخت و بسته بندی، و در نتیجه پایین آمدن هزینه ساخت سوئیچ می شود، و ضریب فنر پایین که کاهش ولتاژ تحریک را به دنبال دارد، اشاره نمود.