در این رساله تک مولکول مغناطیسی میان دو الکترود عادی قرار گرفته است و با اعمال ولتاژ گیت به تک مولکول و ولتاژ بایاس به الکترودها شرایط برای تونل زنی پی در پی آماده می شود. سپس با استفاده از معادله نرخ پائولی جریان عبوری از این سیستم در غیاب میدان مغناطیسی و در حضور میدان مغناطیسی عرضی و طولی و در دماهای مختلف و دمای صفر محاسبه می شود.
تک مولکول های مغناطیسی، مولکول هایی متشکل از فلزات مغناطیسی هستند که اطراف آن ها را ترکیباتی از اتم های غیرمغناطیسی به نام لیگاند احاطه کرده اند و پایین تر از دمای انسداد در مقیاس مولکولی، رفتار سوپرپارامغناطیسی از خود نشان می دهند. این مولکول ها شامل تعداد متناهی ای از
dna دو رشته ای و مشتق آن dna چهار رشتهای (g4-dna) در دهههای اخیر توجهات بسیاری از دانشمندان علوم مختلف را به خود جلب کردهاند و به عنوان یکی از اجزای تشکیل دهنده الکترونیک مولکولی مورد توجه قرار گرفتهاند. کارهای زیادی برروی بررسی خواص ترابرد این مولکول انجام گرفته است. در مقای
رقص محوری شامل نوسان ژیروسکوپیِ تک مولکول مغناطیسی در حرکت تقدیمی است که به دلیل وجود برهم کنش جریان عبوری از اتصال با تک مولکول مغناطیسی پدید می آید. به این حرکتِ ژیروسکوپی، رقص محوریِ جوزفسون (josephson nutation) گفته می شود. در این رساله اثر رقص محوری جوزفسون بر روی جریان بار
مطالعه خواص ترابردی در ساختارهای شامل فلز عادی (nm)، فرومغناطیس (f) و ابررسانا (sc) به دلیل کاربردهای ممکن آن ها در قطعات توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در این پایان نامه، به طور نظری با استفاده از معادله بوگولیوبوف د-جنس bdg ترابرد اسپینی در ساختارهای فلز عادی/نیمرسانای فروم
در این پایان نامه تأثیر ارتعاشات مولکولی روی ترابرد الکترونی از یک زنجیره اتمی از طلا که بین دو الکترود فلزی ساندویچ شده به روش تابع گرین غیرتعادلی کلدیش (روشی قدرتمند برای تحلیل ترابرد ناکشسان در حضور برهمکنش الکترون- فونون) مورد تحقیق قرار گرفته است. اخیراً روش negf به طور موفق
در این پایان نامه، یک ساختار فلز نرمال - ابررسانا - فلز نرمال را در نظر می گیریم که در آن فلز نرمال یک گاز الکترونی دو بعدی با برهمکنش اسپین-مدار راشبا و ابررسانا، از نوع p-wave است. با استفاده از مدل بلاندر-تینخام، کلاپ ویچ و شرایط مرزی لازم، می خواهیم تاثیر برهمکنش اسپی
ترابرد الکترونی در ساختار nsn گرافینی, که در آن دو ناحیه نرمال با یک نوار ابررسانا به ضخامت d به هم متصل شده اند, را بررسی می کنیم. ترابرد از اتصال را در چارچوب معادله dbdg بر حسب فرایندهای مختلف پراکندگی شامل تونل زنی کوانتومی و بازتاب محلی و ضربی اندریو توصیف می کنیم. مقایسه با
ترابرد الکترونی در ساختار NSN گرافینی, که در آن دو ناحیه نرمال با یک نوار ابررسانا به ضخامت d به هم متصل شده اند, را بررسی می‌کنیم. ترابرد از اتصال را در چارچوب معادله DBdG بر حسب فرایندهای مختلف پراکندگی شامل تونل زنی کوانتومی و بازتاب محلی و ضربی اندریو توصیف می‌کنیم. مقایسه با
گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند مدارهای
در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگابست با فرض برهمکنش نزدیک ترین همسایه به بررسی رسانش و چگالی حالت های الکترونی یک نانو بلور نامتناهی با ساختار مکعبی ساده شامل یک بار یا دوقطبی الکتریکی واقع در سطح مقطع آن می پردازیم. نتایج نشان می دهد که با انتقال بار الکتری