مطالعه ترابرد بار الکتریکی در نانو سیم g4-dna
چکیده
dna دو رشته ای و مشتق آن dna چهار رشتهای (g4-dna) در دهههای اخیر توجهات بسیاری از دانشمندان علوم مختلف را به خود جلب کردهاند و به عنوان یکی از اجزای تشکیل دهنده الکترونیک مولکولی مورد توجه قرار گرفتهاند. کارهای زیادی برروی بررسی خواص ترابرد این مولکول انجام گرفته است. در مقایسه با dna دورشتهای، g4-dna دارای خواص منحصر به فردی میباشد که دانشمندان بر این باور هستند که گزینه بسیار مناسبتری برای سیمهای مولکولی میباشد. با توجه به پایین بودن انرژی یونیزاسیون باز گوانین نسبت به سه باز دیگر تشکیل دهنده مولکول dna نقش مهمی را در عبور بار الکتریکی در این مولکول بازی میکند. پس مولکولها و قطعاتی از آن که غنی از گوانین هستند کاندیدای بسیار خوبی برای الکترونیک مولکولی میباشند و g4-dna برای این هدف بسیار مناسب است. در این پایان‌نامه با استفاده از مدل هامیلتونی تنگبست تک نواری و روش ماتریس انتقال به بررسی خواص ترابرد بار الکتریکی در نانو سیم g4-dnaمی‌پردازیم. این روش تابع موج حاملهای بار در یک الکترود را به تابع موج حاملهای بار در الکترود دیگر مرتبط میسازد. نتایج نشان می‌دهد تعداد پشتهها تاثیر زیادی روی مشخصه جریان- ولتاژ میگذارد و با افزایش تعداد پشتهها یا به عبارتی طول مولکول جریان کاهش مییابد.