ترازهای انرژی تک ذره واقع در نانو لوله ی نیمه رسانای استوانه ای تحت تاثیر میدان الکتریکی یک حلقه باردار و در تقریب جرم موثر محاسبه شده است.تاثیر میدان مغناطیسی بر ترازهای انرژی و همچنین ضریب جذب نیز برای این سیستم محاسبه شده است.
مطالعه رسانایی الکتریکی در سیستم های مزوسکوپیک یکی از اساسی ترین مسائل در فیزیک نانو ساختار است. در سالهای اخیر، علاقه روزافزونی در مورد رسانش الکتریکی در نقطههای کوانتومی، سیمهای کوانتومی و سیمهای مولکولی وجود داشته است. در اکثر موارد به منظور بررسی رسانش، رسانایی به روش لاند
به علت کاربرد گسترده نقاط کوانتمی در ساخت لیزرهای نیمرسانا، رایتنه های کوانتمی، وسایل نوری و اپتوالکتریکی، مطالعه ویژگی های الکترونی و نوری این ساختارها توجه بسیاری را به خود جلب نموده است. علاوه بر این، تحقیقات بسیاری در زمینه تأثیر ناخالصی هیدروژنی و عوامل خارجی از قبیل میدان ه
ساختارهای کوانتومی، ساختارهایی می¬باشند که در آنها الکترون¬ها و حفره¬ها در اندازه¬های کوانتومی جایگزیده شده¬اند. خواص الکترونی و نوری این مواد به مقدار قابل توجهی با خواص آنها در حالات کپه¬ای متفاوت است. در این ساختارهای خیلی کوچک توابع موج در ناحیه کوچکی از فضا محبوس بوده که این
با توجه به اهمیت روز افزون مطالعه ی سیمهای کوانتومی بخاطر خواص ذاتی جالب انهاو نقش مهمی که در ابزارهای میکرو الکترونیک و الکترون اپتیکی دارند ونیز بعلت اینکه خواص فیزیکی سیمها تحت اعمال میدان مغناطیسی خارجی قابل کنترل است ترازهای انرژی الکترون در حضور میدان مغناطیسی بررسی شده است
در این تحقیق به بررسی ساختار چاه کوانتومی تحت کرنش ingan/ganورتزیت پرداخته ایم. هدف اصلی ما در این پایان نامه محاسبه میدان الکتریکی در چاه کوانتومی ingan/gan و نیز چاه های کوانتومی چندتایی آنها است. روش ما برای این محاسبه، حل معادله کرنش به منظور بدست آوردن بارهای پلاریزاسیون که
در این تحقیق اثر میدان الکتریکی یکنواخت را روی انرژی حالت پایه نقاط کوانتومی کروی gaas/alas با استفاده از مدل پتانسیل نامحدود مورد مطالعه قرار داده ایم. برای میدان های الکتریکی قوی، تغییرات انرژی حالت پایه اثر اشتارک تقریباً به طور خطی با ازدیاد میدان الکتریکی افزایش می یابد . در
در این تحقیق اثر میدان الکتریکی یکنواخت را روی انرژی حالت پایه نقاط کوانتومی کروی GaAs/AlAs با استفاده از مدل پتانسیل نامحدود مورد مطالعه قرار داده‌ایم. برای میدان‌های الکتریکی قوی، تغییرات انرژی حالت پایه اثر اشتارک تقریباً به طور خطی با ازدیاد میدان الکتریکی افزایش می‌یابد . در
گذار فلز به عایق در یک نانو لوله ی تک جداره گرافنی در حضور ناکاملی ها با استفاده از تئوری آشوب کوانتومی بر مبنای هامیلتونی تنگ بست مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته است. نتایج به دست آمده نشان می دهند که اعمال میدان الکتریکی در امتداد محور نانو لوله نقص دار موجب گذار از فاز رسانا به
این مطالعه به شبیه سازی عددی اثرات هم زمان جهت میدان الکتریکی و تابش لیزری شدید بر جابجایی اشتارک در گذارهای درون‌باندی یک چاه کوانتومی ناهمگون با پتانسیل شبه V-شکل در ساختار GaAs/Ga₀.₅₅Al₀.₄₅As می‌پردازد. معادله شرودینگر در چارچوب تقریب جرم مؤثر و با به کارگیری پتانسیل مؤثر نوسا
در این مقاله، با استفاده از رهیافت تابع گرین خواص ترابرد الکتریکی یک ساختار متجانس شبه یک بعدی مبتنی بر (مانند سیم کوانتومی) در حضور برهمکنش الکترون- فونون به طور نظری مطالعه میشود. برای این منظور، ساختار مورد نظر با طول محدود را بین دو الکترود نیمبینهایت فلزی در نظر میگیریم. با
در این مقاله یک سیستم کوانتومی بس ذره ای در نظر گرفته شده است. سپس به آن سیستم دو بر همکنش وابسته به زمان نوسانگر هارمونیک و میدان الکتریکی اضافه می گردد. نوع تغییرات آن ها به صورت کاملا عمومی فرض شده است. سپس با استفاده کردن از روش های جبری، تحول زمانی این سیستم بس ذره ای کوانتو