در سال های اخیر، کنترل پارامترهای سطوح اکسیدهای فلزی، توجه زیادی را در علوم و تکنولوژی نوین به دلیل کاربردهای وسیعشان به خود جلب کرده اند. در این پژوهش لایه های نازک اکسید مس به کمک دو روش کندوپاش و رسوب گذاری الکتروشیمیایی تهیه شده و خواص ساختاری، اپتیکی و ترشوندگی آن ها مورد مطالعه قرار گرفته اند.
لایهنازک ceo2-sio2 دارای ویژگی های مناسبی است که باعث شده تا این لایه کاربردهای مختلفی در اپتیک کاربردی مانند استفاده ی آن در وسایل الکتروشیمیایی، پنجره های هوشمند و سلول های سوختی داشته باشد. در این پایان نامه لایه های نازک ceo2-sio2 با استفاده از روش شیمیایی مایسلمعکوس و لایه
چکیده در این پژوهش لایه های نازک باریم استرانسیم تیتانات (ba1-xsrxtio3) با استوکیومتری های 4/0، 3/0، 2/0، 1/0=x به روش سل-ژل تهیه شدند. برای تهیه سل 25/0 مولار، از نمک های فلزی باریم استات و استرانسیم استات، آلکوکسید فلزی تیتانیم تترا ایزوپروپوکساید با استوکیومتری مناسب، حلال های
در این پایان نامه، لایه نازک اکسید روی خالص و آلائیده با آلومینیوم برای کاربری به عنوان لایه ی رسانای اکسیدی شفاف در سلول های خورشیدی لایه نازک، ساخته شد و مورد بررسی قرار گرفت. بدین منظور لایه های نازک zno و azo (0، 3، 6 و 12 درصد مولی آلومینیوم) به روش لایه نشانی چرخشی بر پایه
اکسید روی (zno) به عنوان یک اکسید رسانای شفاف (tco)، یکی از مهم ترین نیمرسانا های ترکیبی ii-vi است. zno به طور ذاتی، یک نیمرسانا نوع n است؛ درحالی که برای ساخت قطعات اپتوالکترونیک شفاف، هر دو نوع رسانندگی n و p مورد نیاز است. در این رساله، نتایج مطالعات و کارهای تجربی در زمینه ها
با استفاده از روش تبخیر باریکه الکترونی? لایه zno را روی لام شیشه لایه نشانی کرده و در دمای ? 500 آنیل نمودیم. سپس الکترودهای کروم، آلومینیوم، نقره و پلاتین را روی لایه zno با همان روش انباشت شد، ضخامت لایه اکسید روی و الکترودها 200 نانو متر بود و در نهایت بعنوان حسگر گاز مورد اس
لایه نازک گرافن به دلیل خواص فیزیکی، شیمیایی، مکانیکی و حرارتی منحصر به فرد خود دارای کاربردهای گسترده ای در بسیاری از زمینه های علم و فناوری است. سنتز لایه های نازک گرافن با روش ارزان، دوستدار محیط زیست و کیفیت بالا یک چالش بزرگ است. در کار حاضر، ابتدا پودر اکسید گرافن GO به روش
در این کار لایه�های اکسید تنگستن بر روی الکترود شفاف اکسیدی و همچنین شیشه نوری با استفاده از روش فروبری در سُل?های پایه آبی و الکلی آماده و سپس در 400 درجه عملیات حرارتی گردیدند. ترشوندگی لایه?های مورد استفاده توسط سُل?های آماده شده نیز با مشاهدات چشمی و تصویربرداری بررسی شد. لای
در این پژوهش، اثر کاشت یون +N در نیم‌رسانای ZnO (اکسید روی) جهت بررسی تغییرات خواص لایۀ نازک ZnO بررسی شده است. بدین منظور لایۀ نازکی از ZnO به ضخامت nm ١٢۰ با استفاده از روش کندوپاش تهیه شد و سپس به وسیلۀ یونهای N+ با انرژی keV ۵۰ و شار ١۰١٤ (/cm2یون) به مدت زمان ۳ ثانیه بمبارا
این مطالعه بر سنتز نانوکامپوزیت ZnWO4/GO: Mn متمرکز است و خواص ساختاری، نوری و مکانیکی آن را بررسی می‌کند. نانوکامپوزیت از طریق روش رسوب همزمان با استفاده از پیش سازهای استات روی و سدیم تنگستات سنتز شد، در حالی که اکسید گرافن (GO) با روش هامر تهیه شد. لایه نازک نانوکامپوزیت با اس
در این پژوهش، به بررسی اثر کاشت یون نیتروژن بر ساختار کریستالی و سطحی فیلم نازک اکسید مس پرداخته شده است. بدین منظور لایه نازک به ضخامت nm 150 به روش کندوپاش از جنس اکسید مس بر زیر لایه سیلیکون لایه نشانی شد. سپس، عمل کاشت یون نیتروژن با استفاده از شتاب دهنده الکترواستاتیک با انر
لایه نازک اکسید روی به روش سل- ژل روی بستر شیشهای سنتز شد. ساختار بلوری و ریخت شناسی سطح با استفاده از تفرق سنجی اشعه ایکس (XRD) و میکروسکوپ الکترونی روبشی(SEM) مورد مطالعه قرارگرفت. اندازه ذرات بلوری تشکیل شده روی سطح بر اساس معادله شرر (Scherrer) و نرم افزار X'pert Highscor محا