بررسی تجربی اثر دمای بازپخت و پارامترهای لایه نشانی بر خواص اپتیکی، الکتریکی، ساختاری و الکتروکرومیکی لایه های نازک اکسید نیکل
چکیده
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
چکیدهای برای این سند ثبت نشده است.
اکسید تنگستن یا تری اکسید تنگستن، که یک اکسید فلزی می باشد؛ دارای ویژگی ها جالب اپتیکی، الکتریکی و ساختاری است که توجه فوق العاده پژوهشگران و صنعت را در دو دهه ی اخیر به خود جلب کرده است. ویژگی های مهم آن عبارتند از خاصیت الکتروکرومیک، سنسورگازی و فوتوکاتالیستی. بازده هر کدام از
بر اساس مشخصه های i-v و بررسی های ریزساختار های سطح نمونه ها معلوم شد که نمونه لایه نشانی شده با دمای زیرلایه حدود 180 درجه سانتیگراد دارای کمترین مقاومت ویژه تماس و زبری سطح است. نمونه های با دمای زیرلایه کمتر از 130 درجه سانتیگراد دارای ریخت شناسی ضعیف و سطح غیریکنواختی بودند.
در این تحقیق لایه های نازک به روش تبخیر با باریکه ی الکترونی در روی زیرلایه های شیشه ای تهیه شدند. این روش تبخیر حرارتی مزایایی بر روش های دیگر دارد. در این روش زیرلایه آسیب نمی بیند و از طرفی چون بعضی از مواد با چشمه حرارتی (بوته) شدیدا واکنش می دهند برای تبخیر موادی از این قبیل
به منظور توسعه و بهبود لایههای نازک سرمت، بررسی و یافتن رابطه بین ویژگیهای لایه مربوطه و خواص مولفههای تشکیل دهنده آن از اهمیت فوقالعادهای برخوردار است. این امر موجب میشود که بتوان انتخاب و بهینه سازی لایه را در ارتباط با کاربرد آنها به سهولت انجام داد. در این پروژه با
در این پژوهش لایه های نازک اکسید وانادیوم روی بستر شیشه با استفاده از روش اسپری پایرولیزیز با انتخاب پارامترهای متفاوت دمای بستر (300، 350، 375، 400، 450، °c 500)، غلظت¬ محلول اولیه (0/05، 0/1، 0/15، mol/lit 0/2) و آهنگ¬ لایه نشانی (3، 5، 7، ml/min 10) رشد یافتند. مطالعه و بررسی
در این تحقیق لایه های نازک نیمرسانای اکسید قلع به روش بخار شیمیایی بر روی بسترهای شیشه ای تهیه شده است. سپس اثر شار اکسیژن و زمان لایه نشانی بر روی خواص ساختاری، الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک مورد مطالعه قرار گرفته است.لایه های تهیه شده توسط پراش پرتو ایکس (xrd)، میکروسکوپ ا
لایه های مختلف اکسید روی و اکسید روی تزریق شده با آلومینیوم با استفاده از روش کندوپاش مغناطیسی با فرکانس رادیویی در دمای اتاق بر روی لایه های شیشه ای ساخته شدند. لایه ها در یک کوره الکتریکی با حضور گاز آرگون در سه دمای مختلف 400، 500 و 600 درجه سانتی بازپخت شدند. مقدار چگالی اپتی
هدف اصلی این تحقیق، بررسی خواص ساختاری و مغناطیسی لایه نازک fept نسبت به دمای بازپخت است. لایه های نازک fept به روش کندوپاش روی زیرلایه شیشه ای با نرخ 6 و با توان w 110 رسوب داده شدند. خلأ اولیه محفظه کندوپاش برابر torr 7-10 5 و فشار گاز آرگون mtorr 3 در نظر گرفته شد. پس از تهیه
هدف اصلی این تحقیق، بررسی خواص ساختاری و مغناطیسی لایه نازک FePt نسبت به دمای بازپخت است. لایههای نازک FePt به روش کندوپاش روی زیرلایه شیشه ای با نرخ 6 و با توان W 110 رسوب داده شدند. خلأ اولیه محفظه کندوپاش برابر Torr 7-10 5 و فشار گاز آرگون mTorr 3 در نظر گرفته شد. پس از تهیه
لایه جاذب CZTS (Cu2ZnSnS4) مورد بررسی در این مقاله به عنوان یک لایه فعال در سلولهای خوشیدی لایه نازک نسل سوم، به دلیل فراوانی و ارزان قیمت بودن عناصر در پوسته زمین و همچنین غیر سمی بودن عناصر، امیدها را برای دستیابی به سلول خورشیدی مقرون به صرفه و دوستدار محیط زیست افزایش داده
نانوذرات zns به روش رسوب شیمیایی در ابعاد nm 3-5 با استفاده از مهارکننده تیوگلیسرول(tg) در حلال متانول تحت اتمسفر ازت تهیه و در دماهای مختلف تحت بازپخت قرار گرفت. بررسی طیف xrd نمونه های مختلف نشان می دهد که با افزایش دمای بازپخت علاوه بر اندازه ذرات، ساختار بلوری نیز به تدریج از
نانوذرات ZnS به روش رسوب شیمیایی در ابعاد nm 3-5 با استفاده از مهارکننده تیوگلیسرول(TG) در حلال متانول تحت اتمسفر ازت تهیه و در دماهای مختلف تحت بازپخت قرار گرفت. بررسی طیف XRD نمونههای مختلف نشان میدهد که با افزایش دمای بازپخت علاوه بر اندازه ذرات، ساختار بلوری نیز به تدریج از